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當(dāng)前位置：深圳秋山工業(yè)設(shè)備有限公司>>儀器設(shè)備>>測(cè)厚儀>> SF-3日本otsuka大塚分光干涉式晶圓膜厚儀

日本otsuka大塚分光干涉式晶圓膜厚儀

參   考   價(jià): ￥ 31845

訂  貨  量: ≥1 件

具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)

產(chǎn)品型號(hào)SF-3

品       牌OTSUKA/日本大塚

廠商性質(zhì)經(jīng)銷商

所  在  地深圳市

更新時(shí)間：2025-10-13 17:01:19瀏覽次數(shù)：55次

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產(chǎn)地類別 進(jìn)口 價(jià)格區(qū)間 2萬(wàn)-5萬(wàn)
應(yīng)用領(lǐng)域 化工,電子/電池,制藥/生物制藥,電氣,綜合
日本otsuka大塚分光干涉式晶圓膜厚儀
分光干涉式晶圓膜厚儀 SF-3
即時(shí)檢測(cè) WAFER基板于研磨制程中的膜厚 玻璃基板于減薄制程中的厚度變化 (強(qiáng)酸環(huán)境中) 產(chǎn)品特色 非接觸式、非破壞性光學(xué)式膜厚檢測(cè) 采用分光干涉法實(shí)現(xiàn)高度檢測(cè)再現(xiàn)性

日本otsuka大塚分光干涉式晶圓膜厚儀
日本otsuka大塚分光干涉式晶圓膜厚儀

即時(shí)檢測(cè) WAFER基板于研磨制程中的膜厚 玻璃基板于減薄制程中的厚度變化 (強(qiáng)酸環(huán)境中) 產(chǎn)品特色 非接觸式、非破壞性光學(xué)式膜厚檢測(cè) 采用分光干涉法實(shí)現(xiàn)高度檢測(cè)再現(xiàn)性 



產(chǎn)品特色

  • 即時(shí)檢測(cè)：能夠?qū)崟r(shí)檢測(cè)晶圓（WAFER）基板在研磨過(guò)程中的膜厚，以及玻璃基板在強(qiáng)酸環(huán)境中減薄過(guò)程中的厚度變化。
  • 非接觸式、非破壞性：利用光學(xué)式方法進(jìn)行膜厚檢測(cè)，無(wú)需接觸樣品，不會(huì)對(duì)樣品造成破壞。
  • 分光干涉法：采用分光干涉法實(shí)現(xiàn)高精度的檢測(cè)再現(xiàn)性。
  • 高速檢測(cè)：能夠進(jìn)行高速的即時(shí)研磨檢測(cè)。
  • 多層檢測(cè)：可以穿越保護(hù)膜、觀景窗等中間層進(jìn)行檢測(cè)。
  • 適應(yīng)性強(qiáng)：可以對(duì)應(yīng)長(zhǎng)工作距離，容易安裝在產(chǎn)線或設(shè)備中。
  • 體積小：節(jié)省空間，設(shè)備安裝簡(jiǎn)易。
  • 線上檢測(cè)：可以對(duì)應(yīng)線上檢測(cè)的外部信號(hào)觸發(fā)需求。
  • 算法：采用適合膜厚檢測(cè)的獨(dú)自解析演算法（已取得）。
  • 膜厚分布制圖：可以自動(dòng)進(jìn)行膜厚分布制圖（選配項(xiàng)目）。

規(guī)格樣式

  • 膜厚測(cè)量范圍：0.1 μm ~ 1600μm（根據(jù)不同光譜儀種類，厚度測(cè)量范圍可能不同）。
  • 膜厚精度：±0.1% 以下。
  • 重復(fù)精度：0.001% 以下。
  • 測(cè)量時(shí)間：10毫秒以下。
  • 測(cè)量光源：半導(dǎo)體光源。
  • 測(cè)量口徑：φ27μm（最小可達(dá)φ6μm）。
  • 工作距離（WD）：3 mm ~ 200 mm。



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