上海麥科威半導(dǎo)體技術(shù)有限公司
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X射線能譜儀/近常壓光電子成像設(shè)備

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產(chǎn)品型號(hào)makeway

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所  在  地上海市

更新時(shí)間:2025-08-14 13:01:00瀏覽次數(shù):350次

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應(yīng)用領(lǐng)域 綜合
近常壓X射線光電子能譜儀四級(jí)差分抽氣系統(tǒng),一級(jí)和二級(jí)差分抽氣之間配有閥門,可以實(shí)現(xiàn)真空腔體進(jìn)氣時(shí)保證分析器的真空度。

近常壓X射線光電子能譜儀技術(shù)參數(shù):

1.近常壓XPS真空系統(tǒng),包含分析腔和快速進(jìn)樣腔

1.1分析腔采用μ金屬腔體或不銹鋼腔體加消磁線圈

1.2分析腔配備分子泵以及前級(jí)泵,真空≤5×10-9mbar

1.3快速進(jìn)樣腔采用不銹鋼腔體

1.4快速進(jìn)樣腔配備分子泵和前級(jí)泵,真空≤5×10-8mbar

2.電子能量分析器

2.1半球型,平均半徑150mm

2.2四級(jí)差分抽氣系統(tǒng),一級(jí)和二級(jí)差分抽氣之間配有閥門,可以實(shí)現(xiàn)真空腔體進(jìn)氣時(shí)保證分析器的真空度

2.3工作壓力最大可達(dá)25mbar

2.4分析器接收角:≥44o

2.5工作距離:300-500μm

2.6八個(gè)入口狹縫,三個(gè)出口狹縫

2.7能量分辨率:≤10meV

2.8探測(cè)能量范圍可達(dá)3.5keV

2.9Ag 3d峰計(jì)數(shù)率(在Al靶X光源束斑≤250μm,20W條件下):≥70kcps在UHV條件;≥7kcps在10mbar N2條件;≥0.5kcps在25mbar N2條件

2.10配有一維探測(cè)器(ADCMOS)

3.單色化陽極靶微聚焦X射線光源

3.1類型:?jiǎn)紊疉l/Ag/Cr三陽極靶

3.2工作范圍:10-10 –25mbar

3.3Al靶光斑尺寸:≤200μm

3.4Al靶光通量≥1.0x1010photons/s;Ag靶光通量≥1.0x109photons/s,Cr靶光通量≥1.0x1010photos/s

3.5配有差抽系統(tǒng)

3.6配套水冷機(jī)組,最大水壓可達(dá)9bar

4.近常壓X射線光電子能譜儀進(jìn)氣氣路

4.1配有三路進(jìn)氣管路系統(tǒng),配備質(zhì)量流量計(jì),用于氣體通入

4.2帶有自動(dòng)壓力控制,壓力范圍:1-30mbar

5.分析腔四軸全自動(dòng)樣品架

5.1四軸樣品架移動(dòng)范圍:

X=±12.5mm

Y=±12.5mm

Z方向范圍隨系統(tǒng)配置

P=±180°polar(極角)

5.2四軸全自動(dòng)化馬達(dá)

5.3配備150W紅外激光加熱器,在25mbar N2條件下,樣品溫度最高可達(dá)1000℃

5.5配有液氮冷卻,樣品溫度可到150K

6. 紫外光源

6.1束流密度>2x1016 photons/(sec x sterad)

6.2能量分辨率:FWHM<2meV

6.3可用氣體:He、Ne、Ar等

6.4樣品上束斑尺寸:<500μm

6.5可在近常壓環(huán)境下進(jìn)行UPS測(cè)試






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