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岱美儀器技術服務（上海）有限公司

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當前位置：岱美儀器技術服務（上海）有限公司>>技術文章展示

  • 2023

    09-01

    白光干涉儀測量用于哪些領域？

    白光干涉儀是用于對各種精密器件表面進行納米級測量的儀器，它是以白光干涉技術為原理，光源發(fā)出的光經(jīng)過擴束準直后經(jīng)分光棱鏡后分成兩束，一束經(jīng)被測表面反射回來，另外一束光經(jīng)參考鏡反射，兩束反射光最終匯聚并發(fā)生干涉，顯微鏡將被測表面的形貌特征轉(zhuǎn)化為干涉條紋信號，通過測量干涉條紋的變化來測量表面三維形貌。白光干涉儀專用于非接觸式快速測量，精密零部件之重點部位的表面粗糙度、微小形貌輪廓及尺寸，其測量精度可以達到納米級！目前，在3D測量領域，白光干涉儀是精度最高的測量儀器之一。白光干涉儀比較適合檢測的樣品按領

  • 2023

    08-03

    激光測厚儀原理是什么？激光測厚儀有哪些優(yōu)勢？

    激光測厚儀主要應用于鋰電池正、負極涂布，鋰電池正、負極輥壓的厚度和面密度測量。對于傳統(tǒng)涂布線，技術人員建議采用離線式激光測厚儀通過抽檢的方式折中地解決邊緣監(jiān)控問題；而對于新上的涂布線，推薦使用該設備放置于放卷后、涂布前，測量基材的厚度和面密度；也可以放置在烘箱后、收卷前，測量烘干極片的厚度和面密度。激光測厚儀設備與傳統(tǒng)設備最大的不同在于其光斑很小，不僅在極片中間區(qū)域表現(xiàn)良好，還能準確地監(jiān)控極片頭尾和左右的輪廓，避免削薄區(qū)和頭尾出現(xiàn)較大的面密度或厚度偏差而導致批量報廢。本產(chǎn)品主要將面密度測量與激光

  • 2023

    07-07

    制造芯片的難題之光刻技術和掩模版制作

    一、簡介第四次工業(yè)革命以數(shù)年前尚不存在的技術席卷了我們的生活，其中一些在幾十年前甚至無法想象。自動駕駛汽車已經(jīng)在公共街道上進行測試；無人機正在調(diào)查地形，拍攝視頻，派發(fā)包裹；由專業(yè)人士和業(yè)余愛好者創(chuàng)建的大量視頻內(nèi)容正在被拍攝和發(fā)布；固定和移動監(jiān)視變得司空見慣；服務器的體量變得驚人的龐大，4G網(wǎng)絡正在被5G補充或替代。所有這些趨勢的共同之處在于，它們生成的大量數(shù)據(jù)必須比以往任何時候更快、更可靠地進行處理、傳輸和存儲。上述這些新應用中，許多將需要高級邏輯器件來實現(xiàn)更高的功耗和處理速度。使用較小的晶體管

  • 2023

    07-04

    納米位移電容傳感器的工作原理及典型應用

    什么是納米位移電容傳感器納米位移電容傳感器由傳感器探頭、放大器和電源組成。具有結構簡單、非接觸、頻響寬等特點，被認為是*性的微位移傳感技術，廣泛用于納米位移與定位控制系統(tǒng)。納米位移電容傳感器的工作原理納米位移電容傳感器是基于理想平板電容原理設計研發(fā)的，被測物體與傳感器各自作為一個平板電極。給傳感器一個持續(xù)穩(wěn)定的交流電，交流電壓的振幅變化與電容到被測物體之間的距離成正比。交流電經(jīng)過解調(diào)，可以測出位移量。電容式位移傳感器具有信噪比大、靈敏度高、頻響寬、非線性小、精度穩(wěn)定性好、無損耗等特點。納米位移電

  • 2023

    06-05

    淺述粗糙度測定儀應用工作領域及進行粗糙度檢測的方法

    粗糙度測定儀的應用表面質(zhì)量的特性是零件非常重要的特性之一，在計量科學中表面質(zhì)量的檢測具有重要的地位。以前人們是用標準樣件或樣塊，通過肉眼觀察或用手觸摸，對表面粗糙度做出定性的綜合評定。目前粗糙度儀主要涉及的行業(yè)領域有：一、非金屬加工制造業(yè)，隨著科技的進步與發(fā)展，越來越多的新型材料應用到加工工藝上，如陶瓷、塑料、聚乙烯，等等，現(xiàn)在有些軸承就是用特殊陶瓷材料加工制作的，還有泵閥等是利用聚乙烯材料加工制成的。這些材料質(zhì)地堅硬，某些應用可以替代金屬材料制作工件，在生產(chǎn)加工過程中也需要檢測其表面粗糙度。二

  • 2023

    05-29

    SCHOTT，Inkron，EVG和WaveOptics強強聯(lián)手，打造下一代AR波導

    幾家著名的增強現(xiàn)實(AR)公司聯(lián)合起來，加速消費級AR可穿戴設備的發(fā)展。SCHOTT，Inkron，EVGroup（EVG）和WaveOptics展示了全球shou個在玻璃基板上制成的折射率為1.9的波導，以及相匹配的納米結構聚合物——在300毫米晶圓平臺上生產(chǎn)，且可進行批量生產(chǎn)。SCHOTT是國際領仙的科技集團和光學玻璃的發(fā)明者，現(xiàn)推出SCHOTTRealView™高折射率玻璃晶圓，其折射率為1.9，直徑為300mm。這些晶圓是批量生產(chǎn)下一代AR波導的基礎，不僅單位成本更低，還能達到AR所需的

  • 2023

    05-29

    300mm納米壓印技術用于大批量增強/混合現(xiàn)實玻璃制造

    面向MEMS、納米技術和半導體市場的晶圓鍵合與光刻設備（含納米壓印設備）的領仙供應商EVG宣布，與特種玻璃和微晶玻璃領域的世界領仙技術集團SCHOTT合作，證明300毫米(12英寸)納米壓印光刻技術(NIL)在下一代增強/混合現(xiàn)實(AR/MR)頭戴設備耳機的波導/光導制造中使用的高折射率(HRI)玻璃晶圓的大批量圖案化已準備就緒。此次合作涉及EVG專有的SmartNIL®工藝和SCHOTTRealView™高折射率玻璃晶圓，將在EVG位于奧地利總部的NILPhotonics®能力中心進行。SCH

  • 2023

    05-25

    NIL納米壓印技術在生物醫(yī)療領域的應用

    在過去的幾十年中，生物技術器件的小型化極大地改善了臨床診斷，藥物研究和分析化學?，F(xiàn)代生物技術器件——如用于診斷、細胞分析和藥物發(fā)現(xiàn)的生物醫(yī)學MEMS(bioMEMS)——通常是基于芯片的，依賴于微米級和納米級生物物質(zhì)的密切相互作用。根據(jù)市場研究和策略咨詢公司YoleDéveloppement的報告，越來越多的醫(yī)療保健應用正在使用bioMEMS組件，而bioMEMS市場預計將從2015年的27億美元增長至2021年的76億美元，增長近三倍。到2021年，微流控器件將占生物醫(yī)學MEMS市場總量的86

  • 2023

    05-25

    EVG納米壓印技術用于制作3D光學納米結構

    首CHUANG的解決方案將SwissLithoNanoFrazo系統(tǒng)的高分辨率和3D打印功能與EVG的SmartNIL®技術的高產(chǎn)量和成本效益相結合面向MEMS、納米技術和半導體市場的晶圓鍵合和光刻設備的領仙供應商EVG與新型納米光刻技術制造商SwissLithoAG宣布推出聯(lián)合解決方案，可生產(chǎn)最小到單納米級的3D結構。這一方案在歐盟第七框架計劃資助的“超越CMOS器件的單納米制造（SNM）”項目中進行了shouci演示，涉及SwissLitho的新型NanoFrazor熱掃描探針光刻系統(tǒng)和EV

  • 2023

    05-08

    薄膜在線測厚儀的有哪些測量原理？

    薄膜在線測厚儀的測量原理有4種：射線技術，X射線技術，近紅外技術和光學透過率技術2.1射線技術射線技術是最先應用于在線測厚技術上的射線技術，在上世紀60年代就已經(jīng)廣泛用于超薄薄膜的在線厚度測量了。2.2X射線技術這種技術極少為塑料薄膜生產(chǎn)線所采用。X光管壽命短，更換費用昂貴，一般可用2-3年，更換費用在5000美元左右，而且不適用于測量由多種元素構成的聚合物，信號源放射性強。X射線技術常用于鋼板等單一元素的測量。2.3近紅外技術近紅外技術在在線測厚領域的應用曾受到條紋干涉現(xiàn)象的影響，但現(xiàn)在近紅外

  • 2023

    04-13

    晶圓鍵合技術在LED應用中的研究進展（二）

    1.2金屬鍵合對于高亮度垂直LED（high-brightnessverticalLED，HB-VLED）來說，鍵合界面必須具有高熱導和高電導的性能，幸運的是大部分金屬材料導熱性能好的同時導電性能也較好，使金屬鍵合技術成為目前LED產(chǎn)業(yè)中最常使用的鍵合技術，即以金屬膜為中間層實現(xiàn)晶圓對的連接。金屬鍵合技術提供了高熱導、低電阻、電流分布均勻及光吸收少的鍵合界面，無論是對于AlInGaP紅光LED還是對于InGaN藍光LED，采用金屬鍵合技術都能有效提高其熱學、電學和光學性能，因此金屬鍵合技術受到了

  • 2023

    04-13

    晶圓鍵合技術在LED應用中的研究進展（一）

    0引言發(fā)光二極管（light-emittingdiode，LED）照明是利用半導體的電致發(fā)光發(fā)展而來的固態(tài)照明技術。自1907年第一只發(fā)光二極管問世，到20世紀90年代，人們對LED的研究進展緩慢，期間使用GaAs和InP等第二代半導體材料為光源的LED僅應用在光電探測及顯示領域。直到20世紀90年代中期，日本的中村修二發(fā)明了世界上DI一只超高亮度的GaN基LED，照明領域的大門才向LED打開。GaN作為繼第一代半導體材料Si，Ge和第二代半導體材料GaAs，InP等之后的第三代半導體材料，因其

  • 2023

    04-13

    用于創(chuàng)新PIC封裝的晶圓級納米壓印技術

    01引言數(shù)據(jù)中心、電信網(wǎng)絡、傳感器和用于人工智能高級計算中的新興應用，對于低功耗和低延遲的高速數(shù)據(jù)傳輸?shù)男枨蟪尸F(xiàn)出指數(shù)級增長。我們比以往任何時候都更加依賴這些應用來確保這個世界更安全、更高效。在所有這些市場中，硅光子學(SiPh)在實現(xiàn)超高帶寬性能方面發(fā)揮著關鍵作用。因此，開發(fā)能夠經(jīng)濟高效地擴大硅光子產(chǎn)品生產(chǎn)的解決方案比以往任何時候都更加重要。雖然通過使用標準半導體大規(guī)模生產(chǎn)工藝和現(xiàn)有基礎設施，SiPh的晶圓制造能力已經(jīng)成熟，但SiPh的封裝解決方案仍然是大規(guī)模商業(yè)化的關鍵瓶頸。與晶圓制造相比，

  • 2023

    04-12

    基于無掩模光刻的高精度ITO電極濕法刻蝕工藝研究（結果與討論）

    ３結果與討論３.１顯影時間影響經(jīng)過無掩模光刻機曝光后，目標圖案已轉(zhuǎn)移至ＩＴＯ玻璃上。將ＩＴＯ玻璃放置于加熱板上進行加熱，烘除光刻膠中的殘留溶劑、水分，使光刻膠與ＩＴＯ玻璃結合更加緊密，此時，經(jīng)過曝光的光刻膠與未曝光的光刻膠在顯影液中會存在明顯的溶解速度差。將自然冷卻后的ＩＴＯ玻璃浸沒于ＳＵ－８光刻膠專用顯影液中，由于本實驗中采用的光刻膠為負膠，因此顯影目的是為了除去曝光區(qū)域以外的光刻膠。該方法的核心問題是控制顯影時間。圖２為經(jīng)過不同顯影時間后，在Ｔｉ－Ｅ顯微鏡下觀察到的光刻膠形貌圖，圖中深色條紋

  • 2023

    04-12

    基于無掩模光刻的高精度ITO電極濕法刻蝕工藝研究（引言+實驗）

    １引言ＩＴＯ（ｉｎｄｉｕｍｔｉｎｏｘｉｄｅ）又稱氧化銦錫，是一種銦錫金屬氧化物，因其具有光學透明性［１］、高導電性［２］、易加工性［３］及柔性潛力［４］等優(yōu)點，目前在光電檢測、生物芯片及微納器件等領域得到了廣泛應用，例如加工成熱光伏系統(tǒng)濾波器［５］、紅外輻射反射鏡涂層［６］、表面等離子體共振材料［７］等。在實際應用中，ＩＴＯ通常需先加工成各種形狀的電極，但由于曝光精度低、刻蝕工藝參數(shù)難以控制等原因，ＩＴＯ電極特征尺寸無法進一步降低。目前將ＩＴＯ加工成電極的方法多種多樣，主要分干法刻蝕與濕法刻蝕。

  • 2023

    04-12

    EVG推出全新突破速度和精度極限的掩模對準光刻機

    相較上一代平臺，全新自動掩模對準系統(tǒng)（IQAlignerNT）產(chǎn)出率和對準精度提升兩倍，為EVG光刻解決方案帶來了全新應用微機電系統(tǒng)（MEMS）、納米技術以及半導體市場晶圓鍵合和光刻設備LINGXIAN供應商EVG集團（EVG）近日宣布推出IQAlignerNT，旨在針對大容量XIANJIN封裝應用推出的全新自動掩模對準系統(tǒng)。IQAlignerNT光刻機配備了高強度和高均勻度曝光鏡頭、全新晶圓處理硬件、支持全局多點對準的全200毫米和全300毫米晶圓覆蓋、以及優(yōu)化的工具軟件。與EVG此前推出的I

  • 2023

    04-12

    MicroSense位移傳感器簡介

    一、優(yōu)勢簡介：MicroSense的高精度電容式位移傳在感器，除具有一般非接觸式儀器的共性外，還具有信噪比高、靈敏度高、零漂小、頻響寬、非線性小、精度穩(wěn)定性好、抗電磁干擾能力強、使用方便等優(yōu)點，在國內(nèi)研究所、高等院校、企業(yè)得到廣泛應用，成為科研、教學和生產(chǎn)中一種非常重要的測試儀器。二、特點：1、可實現(xiàn)近距離、高精度、非接觸式位置測量2、分辨率可達亞納米級直至皮納米級，在所有商用電容傳感器品牌中，噪音ZUI低3、提供多種型號的探頭，以滿足高穩(wěn)定性、線性或高測量帶寬等不同需求4、可選擇單一通道或多通

  • 2023

    04-12

    光刻創(chuàng)新技術：EVG推出MLE無掩模曝光光刻技術

    1.介紹對電子設備性能和靈活性的新要求正在使制造基礎架構從傳統(tǒng)的基于掩模的光刻技術轉(zhuǎn)變?yōu)橛糜诟呒壏庋b和異構集成的數(shù)字光刻技術。片上系統(tǒng)正在從單片解決方案轉(zhuǎn)向封裝，小芯片和功能塊中的模塊化系統(tǒng)。因此，對于可擴展和通用后端光刻的需求不斷增長，以實現(xiàn)封裝和系統(tǒng)級的互連。為了滿足這一新的行業(yè)愿景，需要能夠通過高級封裝快速集成新穎功能元素的大規(guī)模生產(chǎn)新工具。大批量制造（HVM）行業(yè)必須超越保守的芯片圖案設計，并進入數(shù)字光刻技術的新時代。EVGroup開發(fā)了MLE™（無掩模曝光）技術，通過消除與掩模相關的困

  • 2023

    04-10

    超聲波清洗機能清洗硅片嗎？

    可以的。隨著半導體材料技術的發(fā)展，對硅片的規(guī)格和質(zhì)量也提出更高的要求，適合微細加工的大直徑硅片在市場的需求比例將日益加大。半導體,芯片,集成電路,設計,版圖,芯片,制造,工藝目前世界普遍采用先進的切、磨、拋和潔凈封裝工藝，使制片技術取得明顯進展。新技術的導入，使SOI等高功能晶片的試制開發(fā)也進入批量生產(chǎn)階段。對此，硅片生產(chǎn)廠家也增加了對300mm硅片的設備投資，針對設計規(guī)則的進一步微細化。利用超聲波清洗技術，在清洗過程中超聲波頻率在合理的范圍內(nèi)往復掃動，帶動清洗液形成細微回流，使工件污垢在被超聲

  • 2023

    03-14

    ThetaMetrisis膜厚儀用于電池隔膜厚度測量

    介紹：鋰電池由正極、負極和電解液組成。隔膜是形成微孔層的高分子膜，放置在電池的正負極之間，使正負極保持分開以防短路，同時確保離子電荷載體的傳輸。隔膜的結構和特性會顯著影響電池的性能，例如能量、功率密度、循環(huán)壽命和安全性。電池隔膜采用特定類型的高分子材料制成。其中，聚乙烯（PE）、聚丙烯（PP）及其混合物或薄膜疊層得到廣泛應用。隔膜厚度通常在25.4μm到12μm之間（根據(jù)GB∕T36363-2018《鋰離子電池用聚烯烴隔膜》國家標準，隔膜厚度不應該低于14μm不能厚于25μm），具體取決于化學系
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