makeway 近常壓X射線光電子能譜儀
- 公司名稱 上海麥科威半導(dǎo)體技術(shù)有限公司
- 品牌 其他品牌
- 型號(hào) makeway
- 產(chǎn)地 上海浦東新區(qū)浦東南路855號(hào)
- 廠商性質(zhì) 代理商
- 更新時(shí)間 2025/6/23 16:28:41
- 訪問(wèn)次數(shù) 208
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價(jià)格區(qū)間 | 面議 | 儀器種類 | 進(jìn)口 |
---|---|---|---|
應(yīng)用領(lǐng)域 | 綜合 |
近常壓X射線光電子能譜儀技術(shù)參數(shù):
1.近常壓XPS真空系統(tǒng),包含分析腔和快速進(jìn)樣腔
1.1分析腔采用μ金屬腔體或不銹鋼腔體加消磁線圈
1.2分析腔配備分子泵以及前級(jí)泵,真空≤5×10-9mbar
1.3快速進(jìn)樣腔采用不銹鋼腔體
1.4快速進(jìn)樣腔配備分子泵和前級(jí)泵,真空≤5×10-8mbar
2.電子能量分析器
2.1半球型,平均半徑150mm
2.2四級(jí)差分抽氣系統(tǒng),一級(jí)和二級(jí)差分抽氣之間配有閥門,可以實(shí)現(xiàn)真空腔體進(jìn)氣時(shí)保證分析器的真空度
2.3工作壓力最大可達(dá)25mbar
2.4分析器接收角:≥44o
2.5工作距離:300-500μm
2.6八個(gè)入口狹縫,三個(gè)出口狹縫
2.7能量分辨率:≤10meV
2.8探測(cè)能量范圍可達(dá)3.5keV
2.9Ag 3d峰計(jì)數(shù)率(在Al靶X光源束斑≤250μm,20W條件下):≥70kcps在UHV條件;≥7kcps在10mbar N2條件;≥0.5kcps在25mbar N2條件
2.10配有一維探測(cè)器(ADCMOS)
3.單色化陽(yáng)極靶微聚焦X射線光源
3.1類型:?jiǎn)紊疉l/Ag/Cr三陽(yáng)極靶
3.2工作范圍:10-10 –25mbar
3.3Al靶光斑尺寸:≤200μm
3.4Al靶光通量≥1.0x1010photons/s;Ag靶光通量≥1.0x109photons/s,Cr靶光通量≥1.0x1010photos/s
3.5配有差抽系統(tǒng)
3.6配套水冷機(jī)組,最大水壓可達(dá)9bar
4.近常壓X射線光電子能譜儀進(jìn)氣氣路
4.1配有三路進(jìn)氣管路系統(tǒng),配備質(zhì)量流量計(jì),用于氣體通入
4.2帶有自動(dòng)壓力控制,壓力范圍:1-30mbar
5.分析腔四軸全自動(dòng)樣品架
5.1四軸樣品架移動(dòng)范圍:
X=±12.5mm
Y=±12.5mm
Z方向范圍隨系統(tǒng)配置
P=±180°polar(極角)
5.2四軸全自動(dòng)化馬達(dá)
5.3配備150W紅外激光加熱器,在25mbar N2條件下,樣品溫度最高可達(dá)1000℃
5.5配有液氮冷卻,樣品溫度可到150K
6. 紫外光源
6.1束流密度>2x1016 photons/(sec x sterad)
6.2能量分辨率:FWHM<2meV
6.3可用氣體:He、Ne、Ar等
6.4樣品上束斑尺寸:<500μm
6.5可在近常壓環(huán)境下進(jìn)行UPS測(cè)試
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