目錄:鄭州成越科學(xué)儀器有限公司>>PECVD氣相沉積系統(tǒng)>>半導(dǎo)體PECVD設(shè)備>> CY-PECVD-240T-SS半導(dǎo)體CVD設(shè)備
半導(dǎo)體CVD設(shè)備采用等離子體增強(qiáng)型化學(xué)氣相沉積技術(shù)，基本溫度低，沉積速率快，在光學(xué)玻璃、硅、石英以及不銹鋼等不同襯底材料上沉積氮化硅、非晶硅和微晶硅等薄膜，成膜質(zhì)量好，針孔較少，不易龜裂，適用于制備非晶硅和微晶硅薄膜太陽電池器件，可廣泛應(yīng)用于大專院校、科研院所的薄膜材料的科研與小批量制備。
半導(dǎo)體CVD設(shè)備主要功能及特點：
PECVD設(shè)備利用平板電容式輝光放電原理，將通入沉積室的工藝氣體解離并產(chǎn)生等離子體，被解離的基團(tuán)在等離子體中重新發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，由于等離子體存在，促進(jìn)氣體分子的分解、化合、激發(fā)和電離，促進(jìn)反應(yīng)活性基團(tuán)的生成，從而降低沉積溫度，在具有一定溫度的基片上沉積形成薄膜?？筛鶕?jù)工藝調(diào)節(jié)等離子體的密度和能量，控制薄膜的生長速率和微結(jié)構(gòu)。
產(chǎn)品參數(shù)：
產(chǎn)品名稱 | 桌面式4英寸平板等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積PECVD | |
產(chǎn)品型號 | CY-PECVD-240T-SS | |
供電電源 | AC220V 50Hz | |
射頻電源 | 信號頻率 | 13.56MHz |
功率輸出范圍 | 0~500W (還可選擇150W, 300W, 1000W等) | |
工作腔體 | 加熱溫度 | RT-500℃（還可選擇600℃，800℃，1000℃等） |
樣品臺尺寸 | Φ100mm（兼容4英寸及以下樣品） | |
樣品臺轉(zhuǎn)速 | 1-20rpm 可調(diào) | |
腔體材質(zhì) | 不銹鋼 | |
觀察窗 | Φ60mm, 帶擋板 | |
供氣系統(tǒng) | 通道數(shù) | 3 （可根據(jù)需要選擇其他通道數(shù)，其他氣體種類，其他測量范圍） |
測量單位 | 質(zhì)量流量計 | |
測量范圍 | A 通道: 0～200SCCM for O2 | |
B通道: 0～200SCCM for N2 | ||
C通道: 0～200SCCM for Ar | ||
真空系統(tǒng) | 前級泵抽速 | 1.1L/s |
分子泵抽速 | 60L/s | |
真空測量 | 復(fù)合真空計 | |
真空度 | 5.0*10-3Pa | |
水冷機(jī) | 水流速 | 10L/min |
冷卻功率 | 50W/℃ | |
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