目錄:鄭州成越科學(xué)儀器有限公司>>PECVD氣相沉積系統(tǒng)>>半導(dǎo)體PECVD設(shè)備>> CY-PECVD-500T-SS半導(dǎo)體PECVD設(shè)備
半導(dǎo)體PECVD設(shè)備采用等離子體增強型化學(xué)氣相沉積技術(shù)，能夠利用高能量等離子體促進(jìn)反應(yīng)過程，有效提升反應(yīng)速度，降低反應(yīng)溫度。適用于在光學(xué)玻璃、硅、石英以及不銹鋼等不同襯底材料上沉積氮化硅、非晶硅和微晶硅等薄膜，成膜質(zhì)量好，針孔較少，不易龜裂，適用于制備非晶硅和微晶硅薄膜太陽電池器件，可廣泛應(yīng)用于大專院校、科研院所的薄膜材料的科研與小批量制備
半導(dǎo)體PECVD設(shè)備技術(shù)參數(shù)：
供電電源 | AC220V 50Hz (歐標(biāo)) | |
射頻電源 | 信號頻率 | 13.56MHz |
功率輸出范圍 | 0~500W | |
*大反射功率 | 100W | |
反射功率 (在*大功率時) | <5W | |
功率穩(wěn)定性 | ±0.1% | |
工作腔體 | 加熱溫度 | RT-1000℃ |
溫控精度 | ±1℃ | |
樣品臺尺寸 | Φ200mm | |
樣品臺轉(zhuǎn)速 | 1-20rpm 可調(diào) | |
噴頭尺寸 | Φ90mm | |
距離 | 噴頭與樣品之間的距離40-100mm連續(xù)可調(diào) | |
沉積工作真空 | 0. 133- 133Pa （可根據(jù)工藝調(diào)整） | |
法蘭 | 上法蘭可由電機升降，基材易更換，并有可視窗口 | |
腔體 | 不銹鋼材質(zhì), Φ500mm * 500mm | |
觀察窗 | Φ100mm, 帶擋板 | |
供氣系統(tǒng) | 通道數(shù) | 6 |
測量單位 | 質(zhì)量流量計 | |
測量范圍 | A 通道: 0～200SCCM for H2 | |
B 通道: 0～200SCCM for CH4 | ||
C 通道: 0～200SCCM for C2H4 | ||
D通道: 0～500SCCM for N2 | ||
E通道: 0～500SCCM for NH3 | ||
F通道: 0～500SCCM for Ar | ||
測量精度 | ±1.5%F.S | |
工作壓差 | -0.15Mpa~0.15Mpa | |
連接管材質(zhì) | 304 不銹鋼 | |
氣路 | 304 不銹鋼針閥 | |
進(jìn)氣和出氣接口規(guī)格 | 1/4" 卡套接頭 | |
真空系統(tǒng) | 前級泵抽速 | 4.7L/s |
分子泵抽速 | 1200L/s | |
真空測量 | 復(fù)合真空計, 范圍10-5Pa ~ 105Pa | |
真空度 | 5.0*10-3Pa | |
水冷機 | 冷卻水溫度 | ≦37℃ |
水流速 | 10L/min | |
功率 | 0.1KW | |
冷卻功率 | 50W/℃ | |
空壓機 | OTS-550 | |
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