目錄:鄭州成越科學(xué)儀器有限公司>>快速退火爐>> CY-RTP1000-T12-L晶圓RTP退火爐柜式
| 參考價(jià) | ￥ 23000 |
| 訂貨量 | ≥1臺(tái) |
| ￥23000 |
| ≥1臺(tái) |
更新時(shí)間：2025-09-06 16:57:13瀏覽次數(shù)：109評(píng)價(jià)
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| 產(chǎn)地類別 | 國產(chǎn) | 價(jià)格區(qū)間 | 2萬-5萬 |
|---|---|---|---|
| 儀器種類 | 管式爐 | 應(yīng)用領(lǐng)域 | 電子/電池,道路/軌道/船舶,鋼鐵/金屬,航空航天,汽車及零部件 |
晶圓RTP退火爐柜式是一種用于半導(dǎo)體制造和材料處理的設(shè)備，其核心特點(diǎn)是快速升降溫和jingque溫控，適用于短時(shí)高溫工藝。
1、活化離子注入雜質(zhì)，形成超薄結(jié)合。離子注入是半導(dǎo)體制造工藝中非常重要的一道工序，是用來把改變導(dǎo)電率的攙雜材料注入半導(dǎo)體晶片的標(biāo)準(zhǔn)工藝技術(shù)。
2、制作高質(zhì)量的 SiO,膜層。IC 制造對(duì)氧化膜層提出了很高的要求其中zui基本的要求使膜層更薄，采用傳統(tǒng)的技術(shù)即通過降低氧化反應(yīng)的溫度來降低氧化速率即會(huì)帶來另一個(gè)問題，生長溫度的降低會(huì)導(dǎo)致固定電荷和界面密度增加，影響氧化層質(zhì)量。RTP熱氧化工藝可以在合適的高溫下實(shí)現(xiàn)短時(shí)間的氧化。另一方面，可以利用往腔體內(nèi)通入氬或其它惰性氣體來稀釋氧氣達(dá)到降低氧化速率的目的。
3、用于金屬硅化物合金形成。RTP快速退火爐被廣泛地用于在器件中制備金屬硅化物。
1. 結(jié)構(gòu)緊湊，節(jié)省空間；
2. 快速升降溫；
3. 精準(zhǔn)溫控與均勻性；
4.氣氛控制靈活；
產(chǎn)品名稱 | RTP快速退火爐【柜式】 |
產(chǎn)品型號(hào) | CY-RTP1000-T12-L |
腔體尺寸 | 12英寸 |
基片尺寸 | ≤12英寸 |
升溫速率 | A型為標(biāo)準(zhǔn)配置：≤100℃/S,供電要求:AC220V/50Hz/60Hz，功率50KW |
降溫速率 | 10°C－50°C /s |
控溫模式 | 可預(yù)設(shè)曲線，按流程控溫 |
控溫精度 | ±1℃ |
工作溫度 | ≤1000℃ |
測溫位置 | 測溫點(diǎn)置于樣品處 |
密封法蘭 | 水冷式 |
工作真空 | 6.7×10-5Pa～105Pa均可 |
可通氣氛 | 可通：氮?dú)?，氬氣，氧氣等非危險(xiǎn)、非腐蝕氣體；如需計(jì)量需選配相應(yīng)的MFC，需要額外計(jì)價(jià)。 |
氣體質(zhì)量流量計(jì)CY-S48 | |
真空測量 | 標(biāo)準(zhǔn)配置：復(fù)合真空計(jì)，量程10-5Pa～105Pa |
真空系統(tǒng) | 標(biāo)準(zhǔn)配置：VRD4+600L/S分子泵組。 |
真空泵CY-4C | |
供電要求 | 要求配備32A2P空氣開關(guān)，電源電壓AC220V/50Hz/60Hz |
水冷機(jī)組 | 水箱容量40L，zui大揚(yáng)程44m |
整機(jī)尺寸 | 620mm*650mm*870mm |
包裝尺寸 | 780mm*950mm*1000mm |
包裝重量 | 230KG |
隨機(jī)配件 | 1、說明書1本 |
2、隨機(jī)配件1套 | |
3、配件清單1份 |
基片類型:
• Silicon wafers硅片
• Compound semiconductor wafers化合物半導(dǎo)體基片
• GaN/Sapphire wafers for LEDs 用于LED的GaN/藍(lán)寶石基片
• Silicon carbide wafers碳化硅基片
• Poly silicon wafers for solar cells用于太陽能電池的多晶硅基片
• Glass substrates玻璃基片
• Metals金屬
• Polymers聚合物
• Graphite and silicon carbide susceptors石墨和鍍碳化硅的石墨基座
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