目錄:鄭州成越科學(xué)儀器有限公司>>快速退火爐>> CY-RTP1200-T4-L快速退火爐
| 產(chǎn)地類別 | 國產(chǎn) | 價格區(qū)間 | 1萬-2萬 |
|---|---|---|---|
| 儀器種類 | 管式爐 | 應(yīng)用領(lǐng)域 | 電子/電池,道路/軌道/船舶,鋼鐵/金屬,航空航天,汽車及零部件 |
RTP快速退火爐是一種用于半導(dǎo)體制造和材料處理的設(shè)備，RTP速退火爐核心特點是快速升降溫和jingque溫控，RTP退火爐適用于短時高溫工藝。
詳情介紹：
RTP退火爐是一種用于半導(dǎo)體制造和材料處理的設(shè)備，其核心特點是快速升降溫和jingque溫控，適用于短時高溫工藝。
RTP退火爐應(yīng)用領(lǐng)域：
1、活化離子注入雜質(zhì)，形成超薄結(jié)合。離子注入是半導(dǎo)體制造工藝中非常重要的一道工序，是用來把改變導(dǎo)電率的攙雜材料注入半導(dǎo)體晶片的標(biāo)準(zhǔn)工藝技術(shù)。
2、制作高質(zhì)量的 SiO,膜層。IC 制造對氧化膜層提出了很高的要求其中zui基本的要求使膜層更薄，采用傳統(tǒng)的技術(shù)即通過降低氧化反應(yīng)的溫度來降低氧化速率即會帶來另一個問題，生長溫度的降低會導(dǎo)致固定電荷和界面密度增加，影響氧化層質(zhì)量。RTP熱氧化工藝可以在合適的高溫下實現(xiàn)短時間的氧化。另一方面，可以利用往腔體內(nèi)通入氬或其它惰性氣體來稀釋氧氣達(dá)到降低氧化速率的目的。
3、用于金屬硅化物合金形成。RTP退火爐被廣泛地用于在器件中制備金屬硅化物。
RTP退火爐產(chǎn)品特點：
1. 結(jié)構(gòu)緊湊，節(jié)省空間；
2. 快速升降溫；
3. 精準(zhǔn)溫控與均勻性；
4.氣氛控制靈活；
RTP退火爐技術(shù)參數(shù)：
產(chǎn)品名稱 | RTP快速退火爐【管式】 |
產(chǎn)品型號 | CY-RTP1200-T4-L |
有效尺寸 | Φ100mm |
基片尺寸 | ≦4英寸 |
升溫速率 | A型為標(biāo)準(zhǔn)配置：≦100℃/S,供電要求:AC220V/50Hz，功率15KW |
降溫速率 | 200℃以上≤25min |
控溫模式 | 可預(yù)設(shè)曲線，按流程控溫 |
控溫精度 | ±1℃ |
工作溫度 | ≦1000℃ |
測溫位置 | 測溫點置于樣品處 |
密封法蘭 | 水冷式 |
工作真空 | 10-3Pa～105Pa均可 |
可通氣氛 | 可通：氮氣，氬氣，氧氣等非危險、非腐蝕氣體 |
真空測量 | 標(biāo)準(zhǔn)配置：電阻規(guī)，量程1Pa～105Pa |
選裝配置：復(fù)合真空計，量程10-5Pa～105Pa | |
真空系統(tǒng) | 標(biāo)準(zhǔn)配置：VRD-4真空泵1臺 |
供電要求 | 要求配備32A2P空氣開關(guān)，電源電壓AC220V/50Hz |
水冷機組 | 水箱容量9L，zui大揚程10m |
整機尺寸 | 1200mm x 610mm x 570mm |
包裝尺寸 | 1475*700*800 |
包裝重量 | 180Kg |
隨機配件 | 1、說明書1本 |
2、隨機配件1套 | |
3、配件清單1份 |
(空格分隔,最多3個,單個標(biāo)簽最多10個字符)
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