目錄:鄭州成越科學(xué)儀器有限公司>>快速退火爐>> CY-RTP1200-T4-H桌面RTP快速退火爐
| 參考價(jià) | ￥ 15800 |
| 訂貨量 | ≥1臺(tái) |
| ￥15800 |
| ≥1臺(tái) |
更新時(shí)間：2025-09-06 17:30:13瀏覽次數(shù)：140評(píng)價(jià)
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| 產(chǎn)地類(lèi)別 | 國(guó)產(chǎn) | 價(jià)格區(qū)間 | 1萬(wàn)-2萬(wàn) |
|---|---|---|---|
| 儀器種類(lèi) | 管式爐 | 應(yīng)用領(lǐng)域 | 電子/電池,道路/軌道/船舶,鋼鐵/金屬,航空航天,汽車(chē)及零部件 |
桌面RTP快速退火爐是一種用于半導(dǎo)體制造和材料處理的設(shè)備，RTP速退火爐核心特點(diǎn)是快速升降溫和溫控，RTP退火爐適用于短時(shí)高溫工藝。
RTP快速退火爐主要功能和特點(diǎn)：
1、更短的工藝時(shí)間；
2、更快的升、降溫速率；
3、處理基片時(shí)雜質(zhì)運(yùn)動(dòng)小；
4、減少顆粒沾污；
5、由于腔體體積不大，氣氛純度容易控制。
RTP快速退火爐應(yīng)用領(lǐng)域：
1、活化離子注入雜質(zhì)，形成超薄結(jié)合。離子注入是半導(dǎo)體制造工藝中非常重要的一道工序，是用來(lái)把改變導(dǎo)電率的攙雜材料注入半導(dǎo)體晶片的標(biāo)準(zhǔn)工藝技術(shù)。
2、制作高質(zhì)量的SiO膜層。IC制造對(duì)氧化膜層提出了很高的要求其中基本的要求使膜層更薄，采用傳統(tǒng)的技術(shù)即通過(guò)降低氧化反應(yīng)的溫度來(lái)降低氧化速率即會(huì)帶來(lái)另一個(gè)問(wèn)題，生長(zhǎng)溫度的降低會(huì)導(dǎo)致固定電荷和界面密度增加，影響氧化層質(zhì)量。RTP熱氧化工藝可以在合適的高溫下實(shí)現(xiàn)短時(shí)間的氧化。另一方面，可以利用往腔體內(nèi)通入氬或其它惰性氣體來(lái)稀釋氧氣達(dá)到降低氧化速率的目的。
3、用于金屬硅化物合金形成。RTP快速退火爐被廣泛地用于在器件中制備金屬硅化物。
桌面RTP快速退火爐技術(shù)參數(shù)：
產(chǎn)品名稱(chēng) | RTP快速退火爐【管式】 |
產(chǎn)品型號(hào) | CY-RTP1200-T4-H |
有效尺寸 | Φ100mm |
基片尺寸 | ≦4英寸 |
升溫速率 | B型為標(biāo)準(zhǔn)配置：≦200℃/S，供電要求：AC380V/60Hz，功率18KW |
降溫速率 | 200℃以上≤25min |
控溫模式 | 可預(yù)設(shè)曲線，按流程控溫 |
控溫精度 | ±1℃ |
工作溫度 | ≦1000℃ |
測(cè)溫位置 | 測(cè)溫點(diǎn)置于樣品處 |
密封法蘭 | 水冷式 |
工作真空 | 10-3Pa～105Pa均可 |
可通氣氛 | 可通：氮?dú)?，氬氣，氧氣等非危險(xiǎn)、非腐蝕氣體 |
真空測(cè)量 | 標(biāo)準(zhǔn)配置：電阻規(guī)，量程1Pa～105Pa |
選裝配置：復(fù)合真空計(jì)，量程10-5Pa～105Pa | |
真空系統(tǒng) | 標(biāo)準(zhǔn)配置：VRD-4真空泵1臺(tái) |
供電要求 | 要求配備32A2P空氣開(kāi)關(guān)，電源電壓AC380V/60Hz |
水冷機(jī)組 | 水箱容量9L，最大揚(yáng)程10m |
整機(jī)尺寸 | 1200mmx 610mmx570mm |
包裝尺寸 | 1475*700*800 |
包裝重量 | 180Kg |
隨機(jī)配件 | 1、說(shuō)明書(shū)1本 |
2、隨機(jī)配件1套 | |
3、配件清單1份 |
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