目錄:鄭州成越科學(xué)儀器有限公司>>快速退火爐>> CY-RTP1000-Φ200-300-V-T鹵素?zé)鬜TP立式快速退火爐
| 產(chǎn)地類別 | 國產(chǎn) | 價格區(qū)間 | 2萬-5萬 |
|---|---|---|---|
| 儀器種類 | 管式爐 | 應(yīng)用領(lǐng)域 | 電子/電池,道路/軌道/船舶,鋼鐵/金屬,航空航天,汽車及零部件 |
鹵素?zé)鬜TP立式快速退火爐是一款8寸片快速退火爐，采用革新的加熱技術(shù)，可實現(xiàn)真正的基底溫度測量，不需要采用傳統(tǒng)快速退火爐的溫度補償，溫度控制**，溫度重復(fù)性高，客戶包括國際上許多半導(dǎo)體公司及科研團隊，是半導(dǎo)體制程退火工藝的理想選擇。
RTP退火爐應(yīng)用領(lǐng)域：
1、活化離子注入雜質(zhì)，形成超薄結(jié)合。離子注入是半導(dǎo)體制造工藝中非常重要的一道工序，是用來把改變導(dǎo)電率的攙雜材料注入半導(dǎo)體晶片的標(biāo)準(zhǔn)工藝技術(shù)。
2、制作高質(zhì)量的 SiO,膜層。IC 制造對氧化膜層提出了很高的要求其中zui基本的要求使膜層更薄，采用傳統(tǒng)的技術(shù)即通過降低氧化反應(yīng)的溫度來降低氧化速率即會帶來另一個問題，生長溫度的降低會導(dǎo)致固定電荷和界面密度增加，影響氧化層質(zhì)量。RTP熱氧化工藝可以在合適的高溫下實現(xiàn)短時間的氧化。另一方面，可以利用往腔體內(nèi)通入氬或其它惰性氣體來稀釋氧氣達(dá)到降低氧化速率的目的。
3、用于金屬硅化物合金形成。RTP退火爐被廣泛地用于在器件中制備金屬硅化物。
RTP退火爐產(chǎn)品特點：
1. 結(jié)構(gòu)緊湊，節(jié)省空間；
2. 快速升降溫；
3. 精準(zhǔn)溫控與均勻性；
4.氣氛控制靈活；
產(chǎn)品名稱 | 鹵素?zé)鬜TP快速退火爐 |
產(chǎn)品型號 | CY-RTP1000-Φ200-300-V-T |
基片尺寸 | 8英寸 |
基片基座 | 石英針（可選配SiC涂層石墨基座） |
溫度范圍 | 150-1250℃ |
加熱速率 | 10-150℃/S |
溫度均勻性 | ≤±1.5% (@800℃, Silicon wafer) ≤±1.0% (@800℃, Substrate on SiC coated graphite susceptor) |
溫度控制精度 | ≤ ±3℃ |
溫度重復(fù)性 | ≤ ±3℃ |
真空度 | 5.0E-3 Torr / 5.0E-6 Torr |
氣路供應(yīng) | 標(biāo)準(zhǔn)1路N2吹掃及冷卻氣路，由MFC控制（*多可選3路） |
退火持續(xù)時間 | ≥35min@1250℃ |
溫度控制 | 快速數(shù)字PID控制 |
尺寸 | 900mm*650mm*1600mm |
(空格分隔,最多3個,單個標(biāo)簽最多10個字符)
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