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邁可諾技術(shù)有限公司
中級(jí)會(huì)員 | 第12年
注射泵與輸液泵有什么區(qū)別？該如何選擇呢？2025/07/24
注射泵與輸液泵的比較注射泵和輸液泵是兩種主要用于精確、連續(xù)和可控輸送液體的儀器設(shè)備。雖然它們用途相似，但這兩種設(shè)備在設(shè)計(jì)、功能和使用場(chǎng)景上存在差異。兩種設(shè)備各有優(yōu)缺點(diǎn)，選擇取決于液體體積、所需精度和應(yīng)用環(huán)境。注射泵和輸液泵都設(shè)計(jì)用于連續(xù)精確輸送液體。注射泵在手動(dòng)給藥和自動(dòng)定時(shí)輸送方面具有顯著優(yōu)勢(shì)，常用于研究環(huán)境中對(duì)小體積液體進(jìn)行精確給藥。注射泵有幾種類(lèi)型，包括醫(yī)用和實(shí)驗(yàn)室用，主要區(qū)別在于液體置換方法。輸液泵通常被稱為容量泵，廣泛用于精確安全的藥物輸送。注射泵在微量輸注方面更具優(yōu)勢(shì)，能提供更高精度
如何控制浸涂的厚度？2025/07/24
浸涂技術(shù)：理論與故障排除實(shí)用指南浸涂是一種簡(jiǎn)單而高效的技術(shù)，廣泛應(yīng)用于多個(gè)行業(yè)的制造領(lǐng)域。在研發(fā)中，它已成為使用專(zhuān)用浸涂機(jī)制備薄膜的重要方法。通過(guò)優(yōu)化工藝，浸涂可制備高度均勻的薄膜，且關(guān)鍵參數(shù)（如膜厚）易于控制。相較于其他工藝，浸涂的優(yōu)勢(shì)在于設(shè)計(jì)簡(jiǎn)單——成本低、維護(hù)方便，并能制備納米級(jí)粗糙度的超均勻薄膜。盡管浸涂操作相對(duì)簡(jiǎn)單，但為了實(shí)現(xiàn)對(duì)基材涂覆的控制，需充分了解影響結(jié)果的因素。制備高質(zhì)量薄膜時(shí)，需優(yōu)化提拉速度等參數(shù)，同時(shí)嚴(yán)格監(jiān)控溫度、氣流和清潔度等環(huán)境條件（推薦使用手套箱控制氣氛）。與其他方法
旋涂腐蝕性試劑會(huì)腐蝕旋涂?jī)x的卡盤(pán)嗎？2025/07/17
旋涂?jī)x卡盤(pán)選擇：PP還是PTFE？卡盤(pán)材質(zhì)的選擇取決于具體應(yīng)用場(chǎng)景和所接觸的化學(xué)試劑。聚丙烯（PP）卡盤(pán)特性材料特性：熱塑性聚合物，具有優(yōu)良的耐化學(xué)性和機(jī)械耐久性應(yīng)用場(chǎng)景：常用于實(shí)驗(yàn)室玻璃器皿和化學(xué)處理容器優(yōu)勢(shì)：抗物理沖擊和反復(fù)使用，對(duì)多數(shù)化學(xué)試劑呈惰性，適合常規(guī)化學(xué)工藝需求聚四氟乙烯（PTFE）卡盤(pán)特性材料特性：合成氟聚合物，具有：較強(qiáng)的化學(xué)耐受性、不粘特性、高溫穩(wěn)定性（-200°C至260°C）應(yīng)用場(chǎng)景：高溫/低溫環(huán)境（如烘箱或低溫實(shí)驗(yàn)），半導(dǎo)體制造、醫(yī)療器械（導(dǎo)管、牙科器械等）化學(xué)耐受性對(duì)
旋涂?jī)x需要關(guān)注的規(guī)格有哪些呢？2025/07/17
旋涂?jī)x的關(guān)鍵特性旋涂?jī)x的轉(zhuǎn)速特性至關(guān)重要，它能表征并改變您制備的薄膜性能。轉(zhuǎn)速范圍轉(zhuǎn)速范圍指旋涂?jī)x可實(shí)現(xiàn)的旋轉(zhuǎn)速度區(qū)間，通常以每分鐘轉(zhuǎn)數(shù)（RPM）表示。RPM設(shè)定決定了基片在旋涂過(guò)程中的旋轉(zhuǎn)速度：更高RPM值通常產(chǎn)生更薄涂層更低RPM值則形成更厚涂層通過(guò)調(diào)節(jié)RPM，可精確控制涂層厚度。轉(zhuǎn)速還會(huì)影響溶劑蒸發(fā)速度——較高RPM能加速旋涂過(guò)程中的溶劑揮發(fā)。RPM對(duì)涂層均勻性同樣關(guān)鍵。離心力能使材料均勻鋪展在基片上，減少厚度不均現(xiàn)象。針對(duì)特定涂布溶液和基片尺寸優(yōu)化RPM，可提升涂層均勻性并減少缺陷。優(yōu)化
薄膜制備的方法有哪些？有什么區(qū)別呢？2025/07/10
薄膜沉積|涂層方法比較薄膜可以通過(guò)多種涂層方法制備，包括蒸發(fā)技術(shù)和溶液處理法。溶液處理技術(shù)將溶液均勻涂覆在基底上，干燥后形成薄膜。均勻可靠的薄膜沉積對(duì)于太陽(yáng)能電池、有機(jī)發(fā)光二極管（OLED）和其他半導(dǎo)體器件的開(kāi)發(fā)與制造至關(guān)重要。由于可用的薄膜沉積方法多種多樣，某些工藝更適合特定應(yīng)用。溶液處理法因其可擴(kuò)展性潛力而特別具有吸引力。選擇適合的涂層方法從小規(guī)模研究到大規(guī)模商業(yè)化生產(chǎn)，您需要綜合考慮小規(guī)模和大規(guī)模應(yīng)用來(lái)比較每種薄膜涂層方法。這有助于您為當(dāng)前需求做出正確選擇，同時(shí)了解未來(lái)擴(kuò)大生產(chǎn)規(guī)模的選擇。
狹縫涂布中會(huì)遇到哪些問(wèn)題?該如何處理呢?2025/07/10
狹縫涂布故障排除狹縫缺陷（SlotDieDefects）狹縫涂布是一個(gè)復(fù)雜的過(guò)程，獲得穩(wěn)定的薄膜涂層需要深入了解沉積技術(shù)背后的物理原理?？赡馨l(fā)生兩種類(lèi)型的缺陷：由于涂層珠彎月面的不穩(wěn)定性而導(dǎo)致的缺陷，此時(shí)涂布過(guò)程離開(kāi)了穩(wěn)定涂布窗口。改變涂布參數(shù)將導(dǎo)致返回穩(wěn)定涂布區(qū)域?；蛘呖梢哉f(shuō)是外部因素導(dǎo)致的缺陷，這些因素與流體的輸送、基材的移動(dòng)或溶液的粘彈性性質(zhì)有關(guān)。這些缺陷通常需要更改涂布系統(tǒng)或流體才能克服。以下部分將介紹這兩類(lèi)缺陷，并展示常見(jiàn)問(wèn)題、這些缺陷的特征、它們產(chǎn)生的原因以及可用于消除這些缺陷的方法
狹縫涂布的液體流動(dòng)分析2025/07/04
狹縫涂布流動(dòng)分析了解狹縫涂布背后的基礎(chǔ)理論對(duì)于理解操作參數(shù)和狹縫幾何形狀如何相互作用以形成穩(wěn)定涂層至關(guān)重要。高質(zhì)量涂層只能在特定的涂布窗口內(nèi)實(shí)現(xiàn)，離開(kāi)此穩(wěn)定涂布窗口將導(dǎo)致缺陷形成——最終，薄膜將無(wú)法涂布。通過(guò)了解涂層薄膜中缺陷的根源，可以知道需要改變哪些加工參數(shù)和狹縫幾何形狀以返回穩(wěn)定涂布區(qū)域。在本節(jié)中，我們將討論：改進(jìn)分布的分流板設(shè)計(jì)的理論基礎(chǔ)溶液如何通過(guò)受限制的通道流動(dòng)產(chǎn)生大的壓力梯度涂層彎月面的形狀和位置如何受到影響溶液分布（SolutionDistribution）溶液通過(guò)狹縫分流板的分
狹縫涂布是什么意思？工作原理是怎么樣的呢？2025/07/04
??狹縫涂布：理論、設(shè)計(jì)與應(yīng)用狹縫涂布是一種極其通用的沉積技術(shù)，其中溶液通過(guò)一個(gè)靠近基材表面的狹縫輸送到基材上。狹縫涂布方法的一個(gè)主要優(yōu)點(diǎn)是濕膜涂層厚度、溶液流速以及涂層基材相對(duì)于涂布頭的速度之間存在簡(jiǎn)單的關(guān)系。此外，狹縫涂布能夠在大面積上實(shí)現(xiàn)極其均勻的薄膜。例如，Ossila狹縫涂布機(jī)可以在許多米范圍內(nèi)產(chǎn)生厚度變化低于5%的涂層，并且在100毫米范圍內(nèi)厚度變化小于50微米（0.05%）。狹縫涂布是許多可用于將薄液膜沉積到基材表面的方法之一。與旋涂或浸涂等傳統(tǒng)技術(shù)相比，狹縫涂布的一個(gè)主要優(yōu)勢(shì)是它
線棒涂膜是什么意思？應(yīng)用在哪些方面呢？2025/06/30
棒涂的介紹：方法、理論與應(yīng)用棒涂是一種簡(jiǎn)單的濕法加工技術(shù)，用于在基材上沉積一薄層溶液。將一根棒或梅爾棒（MayerRod）放置在基材上，并拖過(guò)溶液池，導(dǎo)致溶液鋪展成薄膜或涂層。棒涂通常用于開(kāi)發(fā)汽車(chē)涂料、光伏電池和鋰離子電池等應(yīng)用。棒涂可以手動(dòng)進(jìn)行，也可以自動(dòng)化以提高精度和效率。在自動(dòng)化棒涂系統(tǒng)（例如Ossila棒涂機(jī)中，使用自動(dòng)涂膜機(jī)以均勻速度將棒（如繞線梅爾棒）在基材上移動(dòng)。根據(jù)所用棒的類(lèi)型，這種涂布方法也被稱為刮涂（drawdowncoating）、棒涂（rodcoating）、線棒涂布（w
如何提高退火爐的溫場(chǎng)均勻性2025/04/22
退火爐的溫場(chǎng)均勻性是決定材料熱處理質(zhì)量的核心參數(shù)，直接影響晶粒尺寸、相變行為及殘余應(yīng)力分布。本文系統(tǒng)探討溫場(chǎng)均勻性的關(guān)鍵影響因素、優(yōu)化策略及工業(yè)應(yīng)用案例，為高精度退火工藝提供理論指導(dǎo)與技術(shù)解決方案。1.溫場(chǎng)均勻性的技術(shù)意義與評(píng)價(jià)指標(biāo)1.1均勻性對(duì)材料性能的影響·半導(dǎo)體晶圓：溫度偏差±5℃可導(dǎo)致?lián)诫s濃度波動(dòng)10%，載流子遷移率下降20%（參考IEEETrans.Semicond.Manuf.,2019）?！そ饘侔宀模壕植繙夭?0℃引發(fā)非均勻再結(jié)晶，拉伸強(qiáng)度分散度增加30%。1.2均勻性量化標(biāo)準(zhǔn)·工
快速退火爐該如何選型呢？2025/04/21
快速退火爐的選型需要綜合考慮工藝需求、材料特性、設(shè)備性能以及預(yù)算等因素。以下是選型時(shí)需要關(guān)注的關(guān)鍵參數(shù)和步驟：---**1.明確工藝需求**?材料類(lèi)型：金屬、半導(dǎo)體（如硅、GaN）、玻璃、陶瓷等，不同材料對(duì)溫度范圍和氣氛的要求差異較大。?退火目的：消除應(yīng)力、再結(jié)晶、摻雜激活（如半導(dǎo)體離子注入后的退火）、改善材料性能等。?工藝參數(shù)：?溫度范圍：最高溫度需覆蓋材料退火需求（例如半導(dǎo)體退火可能需要1200°C以上，金屬可能更低）。?升溫速率：快速退火通常要求很高升溫速度（如100°C/s以上），需確認(rèn)
HARRICK等離子清洗機(jī)賦能止血新材料，登上Nature子刊的氣凝膠2025/04/17
實(shí)驗(yàn)?zāi)康拈_(kāi)發(fā)新型止血材料：制備一種雙組分納米和微纖維氣凝膠（NMA），結(jié)合聚乳酸（PLA）納米纖維和聚己內(nèi)酯（PCL）微纖維，通過(guò)優(yōu)化其機(jī)械性能和孔隙結(jié)構(gòu)，實(shí)現(xiàn)對(duì)深部交界性出血的高效控制。性能驗(yàn)證：通過(guò)體外和體內(nèi)實(shí)驗(yàn)，驗(yàn)證NMA的快速形狀恢復(fù)能力、高血液吸收率、凝血效率及機(jī)械穩(wěn)定性，并與市售產(chǎn)品（XStat®和QuikClot®CombatGauze）進(jìn)行對(duì)比。動(dòng)物模型驗(yàn)證：在豬的致死性及交界性出血模型中評(píng)估NMA的即時(shí)止血效果、生存率及無(wú)再出血特性。實(shí)驗(yàn)步驟1.氣凝膠制備納米纖維（PLA）制備
Kevlar纖維UD片材復(fù)合材料的防dan性能：優(yōu)化設(shè)計(jì)與機(jī)制解析2025/04/15
文章基本信息標(biāo)題：Kevlar纖維UD片材復(fù)合材料的防dan性能作者：閆衛(wèi)星、郭艷文、徐行浩、黃曉梅、曹海建期刊：《復(fù)合材料學(xué)報(bào)》2025年第42卷第1期研究背景與意義隨著國(guó)際局勢(shì)緊張，防dan材料需求激增，輕量化、高防護(hù)性能成為核心需求。Kevlar纖維因其高強(qiáng)度、高模量、耐高溫等特性，成為防dan領(lǐng)域的理想材料。然而，其表面光滑、與樹(shù)脂基體結(jié)合性差的問(wèn)題限制了應(yīng)用。本文通過(guò)優(yōu)化樹(shù)脂配比、工藝參數(shù)及結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，探索該Kevlar纖維UD片材復(fù)合材料的防dan性能提升方案。實(shí)驗(yàn)方法與關(guān)鍵材料材料K
晶圓劃片機(jī)該如何選型呢？2025/04/10
如何選擇晶圓劃片機(jī)？關(guān)鍵技術(shù)與選型指南在半導(dǎo)體制造、MEMS器件封裝、光電子芯片加工等領(lǐng)域，晶圓劃片機(jī)（WaferDicingMachine）是將整片晶圓切割成獨(dú)立芯片（Die）的核心設(shè)備。其性能直接決定芯片的切割質(zhì)量、生產(chǎn)效率和成本。然而，面對(duì)市場(chǎng)上種類(lèi)繁多的劃片機(jī)（如機(jī)械劃片、激光切割、等離子蝕刻等），如何選擇適合的機(jī)型？本文將從技術(shù)原理、應(yīng)用場(chǎng)景和關(guān)鍵參數(shù)出發(fā)，系統(tǒng)解析選型邏輯。一、明確需求：四大核心問(wèn)題在選擇劃片機(jī)前，需明確以下基礎(chǔ)問(wèn)題：1.加工材料類(lèi)型傳統(tǒng)硅基晶圓：機(jī)械切割（金剛石刀片
如何將整片晶圓分割成獨(dú)立的芯片呢？2025/04/09
如何將整片晶圓分割成獨(dú)立的芯片呢？將硅片分裂成小片的過(guò)程通常稱為“劃片”或“切割”（Dicing），這是半導(dǎo)體制造中的關(guān)鍵步驟，用于將晶圓分割成獨(dú)立的芯片（die）。以下是幾種常見(jiàn)方法及注意事項(xiàng)：1.機(jī)械劃片（DicingSaw）原理：使用高速旋轉(zhuǎn)的金剛石刀片或硬質(zhì)合金刀片切割硅片。步驟：貼膜：將硅片背面粘貼在藍(lán)膜（UV膠膜）上，固定位置。劃片：用劃片機(jī)沿預(yù)先設(shè)計(jì)的切割道（切割線）進(jìn)行切割。清洗：去除切割產(chǎn)生的碎屑（可用去離子水或超聲波清洗）。分離：拉伸藍(lán)膜使小芯片分離。優(yōu)點(diǎn)：成本低、效率高，適
科研型桌面式納米壓印機(jī)2025/04/08
邁可諾科研型納米壓印機(jī)RD-NIL100，是一款桌面型納米壓印系統(tǒng)。主要應(yīng)用于微米或納米結(jié)構(gòu)的壓印成型。一、納米壓印機(jī)應(yīng)用1.1DOE（人臉識(shí)別衍射元器件）可用于制造高精度的衍射光學(xué)元件（DOE），這些元件在人臉識(shí)別技術(shù)中起到關(guān)鍵作用。通過(guò)納米壓印技術(shù)，能夠在基材上形成微米或納米級(jí)的復(fù)雜光學(xué)結(jié)構(gòu)，用于光束整形和衍射，從而提升人臉識(shí)別設(shè)備的成像質(zhì)量和識(shí)別精度。1.2Diffuser（擴(kuò)散元器件）該設(shè)備適用于生產(chǎn)光學(xué)擴(kuò)散器，通過(guò)壓印形成均勻的微納結(jié)構(gòu)，實(shí)現(xiàn)光的散射和擴(kuò)散。這種擴(kuò)散元器件廣泛應(yīng)用于照明
接觸角的含義2025/03/31
接觸角的含義什么是接觸角？接觸角為我們提供了液體在表面上鋪展的好壞的指標(biāo)。在配制油墨時(shí)，接觸角提供了一個(gè)有用的指標(biāo)，表明油墨的改性將如何影響其鋪展。接觸角可大可小，取決于被研究材料的物理性質(zhì)。下圖顯示了表面上的三種不同的水滴。最左邊的液滴具有大的接觸角，因?yàn)樗粫?huì)在固體表面上擴(kuò)散。最右邊的液滴具有低接觸角，因?yàn)樗鼣U(kuò)散得很好。這種擴(kuò)散被稱為“潤(rùn)濕”，當(dāng)液滴沉積在表面上時(shí)，或者“潤(rùn)濕”或者“去潤(rùn)濕”。下圖顯示了固體表面上液滴的2D截面。定位液滴輪廓與固體表面相交的點(diǎn)。液滴輪廓和固體表面之間的角度是接
Ossila狹縫涂布機(jī)＆紫外臭氧清洗機(jī)助力科研-無(wú)鉛錫鈣鈦礦太陽(yáng)能電池2025/03/28
一、為何選擇錫替代鉛？傳統(tǒng)鉛基鈣鈦礦（如（fapbi?）的效率已突破30％，但其毒性問(wèn)題引發(fā)環(huán)境擔(dān)憂。錫與鉛同屬iv族元素，電子特性相似，且毒性更低。此外，錫鈣鈦礦的理論極限效率（，33％）（）甚至略高于鉛基材料。然而，錫的超快結(jié)晶特性導(dǎo)致薄膜易出現(xiàn)孔洞、晶粒不均等問(wèn)題二、實(shí)驗(yàn)方法：氮?dú)饷}沖+添加劑「雙管齊下」關(guān)鍵策略****-調(diào)控」結(jié)晶法**：：觸發(fā)：用氮?dú)饷}沖瞬間加速溶劑蒸發(fā)，誘導(dǎo)成核。，誘導(dǎo)成核。調(diào)控：通過(guò)添加劑（如masncl?），改變?nèi)芤夯瘜W(xué)環(huán)境，延緩晶核生長(zhǎng)速度，形成致密大晶粒。，形
太陽(yáng)能電池特性分析與測(cè)試的幾種方法（一）2025/03/14
太陽(yáng)能電池特性分析與測(cè)試的幾種方法（一）太陽(yáng)光模擬器用于測(cè)量太陽(yáng)能電池的效率。為了表征太陽(yáng)能電池在現(xiàn)實(shí)世界中的表現(xiàn)，使用有效模擬太陽(yáng)光譜的太陽(yáng)光源至關(guān)重要。當(dāng)然，你可以使用真正的陽(yáng)光，但是這會(huì)引入一些不可控的變量。為了可靠地測(cè)試太陽(yáng)能電池，你需要在實(shí)驗(yàn)室內(nèi)保持受控的條件。此外，許多太陽(yáng)能電池的材料在早期的開(kāi)發(fā)階段不能經(jīng)受氣候影響。由于這些原因，當(dāng)在實(shí)驗(yàn)室環(huán)境中測(cè)試太陽(yáng)能電池時(shí)，你應(yīng)該使用太陽(yáng)光模擬器來(lái)重現(xiàn)太陽(yáng)的輻照度。為了表征太陽(yáng)能電池，太陽(yáng)光模擬器需要滿足關(guān)于時(shí)間穩(wěn)定性、光譜匹配性和均勻性的特
選擇光學(xué)光譜儀時(shí)需要考慮哪些因素呢？2025/03/13
1.波長(zhǎng)范圍：選購(gòu)時(shí)首要考慮因素，由分析樣品和觀察的屬性或躍遷決定。光學(xué)光譜可測(cè)量可見(jiàn)光及附近波長(zhǎng)，范圍約190nm-1100nm，能觀察共軛有機(jī)分子的特定能量躍遷。此外，紅外和近紅外光譜用于研究振動(dòng)和轉(zhuǎn)動(dòng)躍遷。2.光源：不同光學(xué)測(cè)量需要不同光源，如吸光度光譜或漫反射測(cè)量需寬波長(zhǎng)范圍光源；發(fā)射光譜則需要特定波長(zhǎng)的高能量激發(fā)源，部分樣品（如電致發(fā)光測(cè)量）需要非輻射激發(fā)電源。可選擇光譜套件配備寬帶白光源和紫外光源。3.分辨率和靈敏度：分辨率決定光譜峰可分辨的最小間距，靈敏度指光譜儀檢測(cè)光的效率，二者
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