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邁可諾技術(shù)有限公司
中級(jí)會(huì)員 | 第12年
波導(dǎo)樹(shù)脂材料——用于光波導(dǎo)器件和光通信中光學(xué)薄膜應(yīng)用2023/04/10
單模波導(dǎo)樹(shù)脂ZPU12,13-RI和LFR系列光活性UV可固化樹(shù)脂基于全氟丙烯酸酯。它們?cè)O(shè)計(jì)用于光波導(dǎo)器件和光通信中使用的光學(xué)薄膜的應(yīng)用。這些涂料樹(shù)脂具有優(yōu)異的特性，例如低光學(xué)損失，低雙折射和優(yōu)異的環(huán)境穩(wěn)定性。通過(guò)與標(biāo)準(zhǔn)聚合物溶液共混以滿足各種波導(dǎo)結(jié)構(gòu)中的使用需求，可以輕松實(shí)現(xiàn)對(duì)折射率的精確和連續(xù)控制。為了獲得最佳的薄膜質(zhì)量，應(yīng)在紫外線照射期間建議使用氮?dú)猸h(huán)境。產(chǎn)品規(guī)格型號(hào)-ExguideLFR-RI系列-ExguideZPU12,13-RI系列特征-UV固化型-低光損耗-環(huán)境穩(wěn)定性-可控折射率
MC熱點(diǎn)｜半導(dǎo)體制程技術(shù)進(jìn)步的“燃料”——光刻膠2022/11/10
據(jù)第三方機(jī)構(gòu)智研咨詢統(tǒng)計(jì)，至2022年quanqiu光刻膠市場(chǎng)規(guī)模將超過(guò)100億美元。光刻膠按應(yīng)用領(lǐng)域分類，可分為PCB光刻膠、顯示面板光刻膠、半導(dǎo)體光刻膠及其他光刻膠。quanqiu市場(chǎng)上不同種類光刻膠的市場(chǎng)結(jié)構(gòu)較為均衡，具體占比可以如下圖所示。據(jù)智研咨詢的數(shù)據(jù)顯示，受益于半導(dǎo)體、顯示面板、PCB產(chǎn)業(yè)東移的趨勢(shì)，2019年中國(guó)光刻膠市場(chǎng)本土企業(yè)銷售規(guī)模約70億元，quanqiu占比約10%，發(fā)展空間巨大。目前，中國(guó)本土光刻膠以PCB用光刻膠為主，平板顯示、半導(dǎo)體用光刻膠供應(yīng)量占比極低。中國(guó)本土
MC應(yīng)用｜鋰電池材料粉末壓實(shí)密度測(cè)量2022/10/10
鋰離子動(dòng)力電池在制作過(guò)程中，壓實(shí)密度對(duì)電池性能有較大的影響。通過(guò)實(shí)驗(yàn)證明，壓實(shí)密度與片比容量，效率，內(nèi)阻，以及電池循環(huán)性能有密切的關(guān)系。找出*佳壓實(shí)密度對(duì)電池設(shè)計(jì)很重要。一般來(lái)說(shuō)，壓實(shí)密度越大，電池的容量就能做的越高，所以壓實(shí)密度也被看做材料能量密度的參考指標(biāo)之一。壓實(shí)密度不光和顆粒的大小、密度有關(guān)系，還和粒子的級(jí)配有關(guān)系，壓實(shí)密度大的一般都有很好的粒子正態(tài)分布?？梢哉J(rèn)為，工藝條件一定的條件下，壓實(shí)密度越大，電池的容量越高。合適的正極壓實(shí)密度可以增大電池的放電容量，減小內(nèi)阻，減小極化損失，延長(zhǎng)電
AFM探針應(yīng)該如何清洗呢？2022/07/27
目前，越來(lái)越多的原子力顯微鏡被引入到各項(xiàng)研究中，但是相信很多科研人員會(huì)發(fā)現(xiàn)，做了幾次樣品后，針尖或者懸臂梁總會(huì)有東西粘附上去了，圖像質(zhì)量和原來(lái)的形貌出入太大，沒(méi)有多少細(xì)節(jié)，甚至出現(xiàn)雙針尖現(xiàn)象，這個(gè)時(shí)候，被污染的針尖已經(jīng)嚴(yán)重影響到實(shí)驗(yàn)。而AFM探針針尖應(yīng)該怎樣清洗才合適呢，這個(gè)問(wèn)題一直困擾著科研人員。粒子探針一般采用的是紫外臭氧清洗技術(shù)來(lái)清洗有機(jī)物，紫外臭氧技術(shù)*是光子輸出，對(duì)探針表面不會(huì)造成任何損傷，是一種溫和的清洗方法。PSD和PSDP系列紫外臭氧系統(tǒng)通過(guò)產(chǎn)生185nm和254nm高強(qiáng)度UV光
如何快速準(zhǔn)確地測(cè)定光刻膠的對(duì)比度曲線？2022/07/27
納米制造使用光刻工藝(193nm，EUV，EBL等)涉及廣泛的材料、技術(shù)和相關(guān)的處理步驟，以便生產(chǎn)明確的納米結(jié)構(gòu)。光刻膠的光刻對(duì)比曲線是工藝優(yōu)化的參數(shù)之一。光致抗蝕劑的對(duì)比度曲線是顯影后剩余的抗蝕劑膜厚度，作為對(duì)數(shù)繪制的曝光劑量的函數(shù)[1]。測(cè)量方法:在本篇應(yīng)用案例中，使用EBPG-5000+電子束工具以100千電子伏的速度在不同的曝光劑量下對(duì)負(fù)性抗蝕劑進(jìn)行曝光，生成100×100μm正方形的陣列，每個(gè)正方形對(duì)應(yīng)不同的曝光劑量。在顯影步驟之后，使用FR-μ探針顯微光譜儀工具在每個(gè)正方形上測(cè)量剩余
MC方案｜如何精確快速無(wú)損測(cè)量多層鈣鈦礦薄膜厚度？2022/07/27
鈣鈦礦廣泛用于太陽(yáng)能電池的開(kāi)發(fā)。由于這些類型的太陽(yáng)能電池具有良好的光伏性能，因此對(duì)它們進(jìn)行了系統(tǒng)的研究。鈣鈦礦薄膜的厚度和形態(tài)是影響太陽(yáng)能電池性能的重要因素。人們發(fā)現(xiàn)，特別當(dāng)鈣鈦礦的厚度小于400nm時(shí)，鈣鈦礦太陽(yáng)能電池的效率很大程度上取決于薄膜厚度；而當(dāng)鈣鈦礦的厚度大于400nm時(shí)，效率則很大程度上取決于鈣鈦礦層的薄膜形態(tài)。在本篇方案說(shuō)明中，我們使用FR-pRoVIS/NIR測(cè)量鈣鈦礦薄膜的厚度。FR-pRoVIS/NIR測(cè)量方法：用于表征的樣品是兩種不同厚度的CH3NH3PbBr3鈣鈦礦薄膜
MC應(yīng)用｜如何實(shí)現(xiàn)納米級(jí)清洗？2022/07/27
具有可控和可調(diào)節(jié)表面化學(xué)性質(zhì)的清潔表面對(duì)于改善材料的界面，生物和電子性能，以獲得*佳的設(shè)備和結(jié)構(gòu)性能至關(guān)重要。等離子體表面處理可去除納米級(jí)有機(jī)污染物，并在不影響整體材料的情況下改變表面化學(xué)性質(zhì)。等離子清洗的好處等離子體清潔是通過(guò)化學(xué)反應(yīng)（O2或空氣等離子體）或物理消融（Ar等離子體）去除有機(jī)污染物。等離子體處理還在表面上引入了化學(xué)官能團(tuán)（羰基，羧基，羥基），使大多數(shù)表面具有親水性，水接觸角的減小和潤(rùn)濕性的提高。清潔且親水的表面通常對(duì)于促進(jìn)附著力和增強(qiáng)與其他表面的粘合至關(guān)重要。此外，血漿可用于消毒
MEMS應(yīng)用中懸浮活性硅膜厚度測(cè)量2022/07/27
簡(jiǎn)介硅基底的傳感器因其高性能、低成本和小尺寸而廣泛應(yīng)用于不同的MEMS微機(jī)電系統(tǒng)。懸浮在圖案上的硅膜或基于SOI的傳感器上的活性硅層的厚度對(duì)于控制最終平臺(tái)的性能至關(guān)重要[1]。在這里，我們已經(jīng)在一個(gè)MEMS微機(jī)電系統(tǒng)壓力傳感器上測(cè)量了硅薄膜厚度，使用的是孔徑為250μm的FR-μProbe，該工具安裝在一個(gè)徠卡分模光學(xué)顯微鏡上。使用10倍物鏡進(jìn)行測(cè)量，該物鏡與選定的孔徑大小一起對(duì)應(yīng)于25μm的光斑大小(測(cè)量區(qū)域)。使用內(nèi)部光源將FR-μProbe安裝在光學(xué)顯微鏡上測(cè)量方法獲得的典型實(shí)驗(yàn)反射光譜(
Harrick等離子清洗機(jī)PDMS鍵合小能手！2022/07/07
MC應(yīng)用｜Harrick等離子清洗機(jī)PDMS鍵合小能手！HarrickPlasma→PDMSBonding，時(shí)長(zhǎng)00:14應(yīng)用領(lǐng)域聚（二甲基硅氧烷）（PDMS）是基于硅酮的有機(jī)聚合物，因其低成本和多功能性而廣泛用于專業(yè)和學(xué)術(shù)研究實(shí)驗(yàn)室。PDMS是惰性的，透明的，可通過(guò)軟光刻輕松定制，該技術(shù)用于成型PDMS并將納米級(jí)特征和微通道壓印到其表面上。Harrick等離子清洗機(jī)可去除有機(jī)污染物并激活PDMS表面，以用于與玻璃，PDMS或其他經(jīng)過(guò)類似處理的表面進(jìn)行粘合。PDMS鍵合于微流體設(shè)備的開(kāi)發(fā)中。PD
超逼真20張動(dòng)圖，秒懂四大電鏡原理2022/07/07
科研圈｜超逼真20張動(dòng)圖，秒懂四大電鏡原理（SEM,TEM,AFM,STM）！材料的顯微分析能獲得材料的組織結(jié)構(gòu)，揭示材料基本性質(zhì)和基本規(guī)律，在材料測(cè)試技術(shù)中占重要的一環(huán)。對(duì)各種顯微分析設(shè)備諸如SEM、TEM、AFM、STM等，各位材料屆的小伙伴一定不會(huì)陌生。最近小編發(fā)現(xiàn)一些電鏡動(dòng)畫(huà)，被驚艷到，原來(lái)枯燥無(wú)味的電鏡可以變得這么生動(dòng)，閑言少敘，下面就和大家一起來(lái)分享。掃描電子顯微鏡（SEM）掃描電鏡成像是利用細(xì)聚焦高能電子束在樣件表面激發(fā)各種物理信號(hào)，如二次電子、背散射電子等，通過(guò)相應(yīng)的檢測(cè)器來(lái)檢測(cè)
方案｜光刻膠的顯影和光刻工藝2022/06/21
光刻膠的顯影和光刻工藝今天小編要跟大家簡(jiǎn)要介紹關(guān)于光刻膠的顯影過(guò)程和光刻工藝處理的一些相關(guān)內(nèi)容。光刻工藝可用五個(gè)指標(biāo)來(lái)衡量其效果：分辨率、靈敏度、套刻對(duì)準(zhǔn)精度、缺陷率和硅片加工過(guò)程處理問(wèn)題，其中有3個(gè)指標(biāo)，分辨率、靈敏度和缺陷率是與涂膠顯影的工藝精度有重要。顯影過(guò)程是將曝光后的光刻膠中與紫外光發(fā)生化學(xué)反應(yīng)的部分除去或保留下來(lái)的過(guò)程。顯影的主要過(guò)程如下：對(duì)準(zhǔn)曝光→曝光后烘→顯影→堅(jiān)膜→顯影檢測(cè)。1對(duì)準(zhǔn)曝光（AlignmentａndExposure）對(duì)準(zhǔn)曝光階段是光刻工藝的重要階段，使用的掩膜曝光機(jī)
MC方案｜MEMS制造中精確測(cè)量薄膜厚度的方法研究與比較2022/06/21
目前，MEMS發(fā)展迅速，已廣泛應(yīng)用于醫(yī)療、軍事、航空、航天、汽車工業(yè)等領(lǐng)域。MEMS種類繁多，如MEMS傳感器、MEMS執(zhí)行器和光MEMS等，而各種薄膜在MEMS制造加工工藝中充當(dāng)了重要角色。根據(jù)MEMS加工工藝需要，往往需要制作各種不同厚度的薄膜，薄膜厚度對(duì)工藝、后成型的器件性質(zhì)有至關(guān)重要的影響。隨著薄膜厚度的變化其性質(zhì)往往也出現(xiàn)不同，精確測(cè)量各種功能薄膜的厚度值在MEMS制造加工領(lǐng)域有非常重要的意義。下面小編來(lái)介紹幾種測(cè)量薄膜厚度的方法研究和對(duì)比：01接觸式表面輪廓儀利用觸針直接同樣品接觸的
折射率液在光纖通信領(lǐng)域的技術(shù)應(yīng)用2022/06/21
背景技術(shù)在各類光學(xué)有關(guān)的檢測(cè)中經(jīng)常需要在兩個(gè)光學(xué)器件之間添加折射率匹配液以消除結(jié)合處界面對(duì)光學(xué)性能帶來(lái)的影響。以光通信領(lǐng)域?yàn)槔?，近年我?guó)寬帶接入和光纖到戶的發(fā)展使平面光波導(dǎo)芯片產(chǎn)品的需求量猛增。平面光波導(dǎo)就是在晶圓平面上利用不同物質(zhì)的光折射率制造出光波傳導(dǎo)通路，并完成過(guò)去由多個(gè)單一光器件才能實(shí)現(xiàn)的特定光通信功能的技術(shù)。測(cè)試平面光波導(dǎo)芯片時(shí)，會(huì)將芯片與其他光學(xué)器件如光纖、光纖陣列等連接起來(lái)，為了避免光在這些連接點(diǎn)位置出現(xiàn)強(qiáng)度、偏振態(tài)變化等光學(xué)性質(zhì)的變化，通常會(huì)在這些連接點(diǎn)之間點(diǎn)上折射率匹配液。折射
詳細(xì)介紹制樣機(jī)的測(cè)試原理和操作注意事項(xiàng)2020/11/25
制樣機(jī)是指可以制作各種規(guī)格的力學(xué)拉伸試樣條，采用全自動(dòng)CNC數(shù)控系統(tǒng)控制，操作簡(jiǎn)便，自動(dòng)切割樣條，切割精度高，速度快，制作的試樣形狀不受機(jī)器限制，只要提供程序，可以制作各種形狀的試樣，條形、啞鈴型、圓形、各種不規(guī)則圖形等；主要用途用于鋁合金、銅等有色金屬材料及橡膠塑料、玻璃鋼、塑料、纖維板、有機(jī)玻璃、增強(qiáng)玻璃纖維板、特殊復(fù)合等材料，也可以用于材料粉末取樣等作用；通過(guò)程序控制器控制三軸聯(lián)動(dòng)系統(tǒng)，實(shí)現(xiàn)金屬或者非金屬板材的樣條切割、啞鈴型試樣切割、沖擊缺口切割功能，并可以將任意形狀的材料進(jìn)行銑削。用于
如何實(shí)現(xiàn)納米級(jí)清洗？2020/11/20
具有可控和可調(diào)節(jié)表面化學(xué)性質(zhì)的清潔表面對(duì)于改善材料的界面，生物和電子性能，以獲得Zjia的設(shè)備和結(jié)構(gòu)性能至關(guān)重要。等離子體表面處理可去除納米級(jí)有機(jī)污染物，并在不影響整體材料的情況下改變表面化學(xué)性質(zhì)。等離子清洗的好處等離子體清潔是通過(guò)化學(xué)反應(yīng)（O2或空氣等離子體）或物理消融（Ar等離子體）去除有機(jī)污染物。等離子體處理還在表面上引入了化學(xué)官能團(tuán)（羰基，羧基，羥基），使大多數(shù)表面具有親水性，水接觸角的減小和潤(rùn)濕性的提高。清潔且親水的表面通常對(duì)于促進(jìn)附著力和增強(qiáng)與其他表面的粘合至關(guān)重要。此外，血漿可用于
MC應(yīng)用｜TMAH和KOH，誰(shuí)更適合濕法刻蝕？2020/11/20
硅的各向異性濕法腐蝕是一種常用的制造微機(jī)械結(jié)構(gòu)的體硅微加工技術(shù)，因?yàn)槠鋵?shí)現(xiàn)相對(duì)容易，成本也相對(duì)低廉。而且，在大多數(shù)工藝中不需要消耗電力資源。在這一過(guò)程中，其反應(yīng)為：Si+4H2O-Si(OH)4+2H2氫氧根離子沒(méi)有明確出現(xiàn)在反應(yīng)中，但它十分重要，因?yàn)樗呋磻?yīng)并確保Si(OH)4產(chǎn)物在溶液中的溶解度。腐蝕的速率取決于溫度、蝕刻劑組成和表面的晶體學(xué)取向關(guān)系。值得注意的是，因?yàn)檫@種反應(yīng)只涉及到化學(xué)反應(yīng)，當(dāng)半導(dǎo)體的電位被外部電源改變使，它的反應(yīng)速率卻不受影響。各向異性所有堿性蝕刻劑對(duì)硅的腐蝕都是各向
MC方案｜RIE / ICP干法蝕刻工藝案例2020/11/16
ICP/RIE蝕刻應(yīng)用范圍：-Si，SiO2，SiN蝕刻工藝-Al，Cr，Ti，TiW，Au，Mo等金屬蝕刻工藝-晶圓尺寸：一片，4英寸，6英寸晶圓RIE等離子刻蝕案例：SiO2/SiN蝕刻80sccmCF4，均勻性幾種功率水平下的壓力與蝕刻速率（如下圖）：PlasmaSTAR®系列等離子處理系統(tǒng)適合處理所有的材料，擁有模塊化腔室和電極配置，可滿足不同的等離子工藝和基片尺寸。占地面積小，觸摸屏計(jì)算機(jī)控制，多級(jí)程序控制和組件控制，操作簡(jiǎn)單。用于研究、工藝開(kāi)發(fā)和批量生產(chǎn)，可輕松集成到自動(dòng)化生產(chǎn)線和系
MC方案｜如何設(shè)計(jì)制作微透鏡陣列？2020/11/16
“納米壓印技術(shù)”展示了通過(guò)在溫度和壓力控制的印刷過(guò)程中使熱塑性材料物理變形來(lái)執(zhí)行低于100nm平行光刻的能力。使用通過(guò)電子束光刻和干刻蝕圖案化的硅壓模來(lái)實(shí)現(xiàn)。這項(xiàng)技術(shù)的優(yōu)點(diǎn)在于，可使用具有納米圖案的硅“母版”，進(jìn)行成千上萬(wàn)次復(fù)制，從而降低成本并提高產(chǎn)量，用于半導(dǎo)體工藝中的開(kāi)發(fā)個(gè)研究。包含的技術(shù)：熱壓印、UV紫外壓印、微米結(jié)構(gòu)壓?。?micro;CP）、卷對(duì)卷壓印和注塑成型等。典型的基材材料：硅，熔融石英，III-V材料和聚合物材料等。典型的壓印聚合物：PMMA，COC，COP，PC和PET等。下面我們來(lái)具體
MC應(yīng)用｜微納加工中的等離子處理和勻膠旋涂2020/11/16
結(jié)合使用等離子處理和旋涂，研究人員可以獲得具有更高穩(wěn)定性和性能的均勻材料涂層。等離子體處理通過(guò)引入含有親水性氧的官能團(tuán)來(lái)改變表面化學(xué)性質(zhì)。極性基團(tuán)使基材可潤(rùn)濕，并且能夠更好地與水溶液相互作用。等離子處理促進(jìn)了粘附力并在基材上平滑鋪展。旋涂設(shè)備利用離心力來(lái)產(chǎn)生水平，均勻的薄膜和涂層。通過(guò)試驗(yàn)轉(zhuǎn)速和加速度，研究人員可以JINQUE地確定特定的膜厚。旋涂可改善設(shè)備質(zhì)量和專業(yè)外觀。這些工具可以無(wú)縫地協(xié)同工作，以在各種基材上提供均勻的膜和涂層。在許多應(yīng)用中，一致的涂層特性可提高穩(wěn)定性和功能性。柔性電子等離
MC方案｜AFM探針應(yīng)該如何清洗呢？2020/11/13
目前，越來(lái)越多的原子力顯微鏡被引入到各項(xiàng)研究中，但是相信很多科研人員會(huì)發(fā)現(xiàn)，做了幾次樣品后，針尖或者懸臂梁總會(huì)有東西粘附上去了，圖像質(zhì)量和原來(lái)的形貌出入太大，沒(méi)有多少細(xì)節(jié)，甚至出現(xiàn)雙針尖現(xiàn)象，這個(gè)時(shí)候，被污染的針尖已經(jīng)嚴(yán)重影響到實(shí)驗(yàn)。而AFM探針針尖應(yīng)該怎樣清洗才合適呢，這個(gè)問(wèn)題一直困擾著科研人員。粒子探針一般采用的是紫外臭氧清洗技術(shù)來(lái)清洗有機(jī)物，紫外臭氧技術(shù)*是光子輸出，對(duì)探針表面不會(huì)造成任何損傷，是一種溫和的清洗方法。PSD和PSDP系列紫外臭氧系統(tǒng)通過(guò)產(chǎn)生185nm和254nm高強(qiáng)度UV光
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