1600三溫區(qū)CVD氣相沉積系統(tǒng)

化學(xué)氣相沉積（Chemical Vapor Deposition, CVD） 是一種用于制備高性能固體材料薄膜的技術(shù)。其核心原理是：將含有構(gòu)成薄膜元素的一種或幾種氣態(tài)反應(yīng)物通入反應(yīng)室，在基片（如硅片）表面發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，并生成固態(tài)薄膜沉積下來(lái)。 

  1600三溫區(qū)CVD氣相沉積系統(tǒng)，真空度可達(dá)6.67x10-3Pa（也可定制6.67x10-6Pa），三個(gè)溫區(qū)獨(dú)立控制加熱，實(shí)驗(yàn)操作更加方便。超高溫加熱元件，額定工作溫度可達(dá)1550℃。

  主要用于真空燒結(jié)、氣氛保護(hù)性燒結(jié)、真空鍍膜、各種材料鍛燒、需要溫度梯度的各種CVD實(shí)驗(yàn)。

  1600三溫區(qū)CVD氣相沉積系統(tǒng)造型優(yōu)美、做工精細(xì)，測(cè)溫精準(zhǔn)、控溫穩(wěn)定。

PECVD應(yīng)用領(lǐng)域：

1.微電子與半導(dǎo)體工業(yè)，介質(zhì)薄膜　低k介質(zhì)　多晶硅/非晶硅薄膜

2.光伏（太陽(yáng)能電池）工業(yè)，氮化硅減反射鈍化膜　非晶硅/微晶硅薄膜太陽(yáng)能電池

3.顯示技術(shù)（LCD/OLED），薄膜晶體管（TFT）陣列制造

4.光學(xué)領(lǐng)域，光學(xué)薄膜

PECVD優(yōu)點(diǎn):
1.沉積溫度低

2. 薄膜質(zhì)量高

3. 良好的臺(tái)階覆蓋性和溝槽填充能力

4. 沉積速率較快

5. 廣泛的材料體系

管式爐爐管尺寸：Φ60*220*220*220MM，0~1550℃工作溫度區(qū)間；

真空泵：5~6.67x10-3Pa真空度（可定制6.67x10-6Pa），質(zhì)子流量計(jì)精確至0.1