目錄:鄭州成越科學(xué)儀器有限公司>>PECVD氣相沉積系統(tǒng)>> CY-PECVD50-1200-Q三溫區(qū)PECVD氣相沉積石墨烯制備系統(tǒng)
三溫區(qū)PECVD氣相沉積石墨烯制備系統(tǒng)由等離子發(fā)生器，三溫區(qū)管式爐、射頻電源、真空系統(tǒng)組成。等離子增強(qiáng)CVD系統(tǒng)為了使化學(xué)反應(yīng)能在較低的溫度下進(jìn)行，利用了等離子體的活性來促進(jìn)反應(yīng)，因而這種CVD稱為等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法（PECVD）， 該P(yáng)ECVD石墨烯薄膜制備設(shè)備借助13.56Mhz的射頻輸出等使含有薄膜組成原子的氣體電離，在真空腔體內(nèi)形成等離子體，利用等離子的強(qiáng)化學(xué)活性，改善反應(yīng)條件，利用等離子體的活性來促進(jìn)反應(yīng)，在基片上沉積出所期望的薄膜。
等離子增強(qiáng)CVD系統(tǒng)可以用于：石墨烯制備、硫化物制備、納米材料制備等多種試驗(yàn)場所?？稍谄瑺罨蝾愃菩螤顦悠繁砻娉练eSiOx、SiNx、非晶硅、微晶硅、納米硅、SiC、類金剛石等多種薄膜，并可沉積p型、n型摻雜薄膜。沉積的薄膜具有良好的均勻性、致密性、粘附性、絕緣性。廣泛應(yīng)用于刀具、高精模具、硬質(zhì)涂層、高duan裝飾等領(lǐng)域
產(chǎn)品名稱 | 三溫區(qū)PECVD |
產(chǎn)品型號 | CY-PECVD50-1200-Q |
三溫區(qū)管式爐 | 工作溫度：0-1100℃ 控溫精度：±1℃ 控溫方式：AI-PID 30段工藝曲線，可存儲多條 爐管材質(zhì)：高純石英 爐管尺寸：φ50mm I.D x 1400mm L 加熱溫區(qū)：三溫區(qū) 200mm+200mm+200mm 密封方式：不銹鋼真空法蘭 極限真空度：4.4E-3Pa |
射頻電源 | 輸出功率：0-300W zui大可調(diào)±1% RF頻率： 13.56MHz，穩(wěn)定性±0.005% 噪聲：≤55DB 冷卻：風(fēng)冷 |
質(zhì)量流量計(jì) | 三路質(zhì)量流量計(jì) 閥門類型：不銹鋼針閥 氣路數(shù)量：三路 承壓范圍：-0.15Mpa~0.15Mpa 量程 1~200 SCCM 1~200 SCCM 1~500 SCCM 流量控制范圍：±1.5% 氣路材料：304不銹鋼 管道接口：6.35mm卡套接頭 |
真空系統(tǒng) | 配有一套分子泵系統(tǒng),采用一鍵式操作 600L/S |
水冷系統(tǒng) | CW-3200 |
電壓 | 220V 50HZ |
(空格分隔,最多3個(gè),單個(gè)標(biāo)簽最多10個(gè)字符)
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