半導(dǎo)體PECVD設(shè)備氣相沉積系統(tǒng)

半導(dǎo)體PECVD設(shè)備氣相沉積系統(tǒng)采用等離子體增強型化學(xué)氣相沉積技術(shù)，能夠利用高能量等離子體促進反應(yīng)過程，有效提升反應(yīng)速度，降低反應(yīng)溫度。適用于在光學(xué)玻璃、硅、石英以及不銹鋼等不同襯底材料上沉積氮化硅、非晶硅和微晶硅等薄膜，成膜質(zhì)量好，針孔較少，不易龜裂，適用于制備非晶硅和微晶硅薄膜太陽電池器件，可廣泛應(yīng)用于大專院校、科研院所的薄膜材料的科研與小批量制備。

PECVD應(yīng)用領(lǐng)域

1.微電子與半導(dǎo)體工業(yè)，介質(zhì)薄膜　低k介質(zhì)　多晶硅/非晶硅薄膜

2.光伏（太陽能電池）工業(yè)，氮化硅減反射鈍化膜　非晶硅/微晶硅薄膜太陽能電池

3.顯示技術(shù)（LCD/OLED），薄膜晶體管（TFT）陣列制造

4.光學(xué)領(lǐng)域，光學(xué)薄膜

PECVD優(yōu)點:
1.沉積溫度低

2. 薄膜質(zhì)量高

3. 良好的臺階覆蓋性和溝槽填充能力

4. 沉積速率較快

5. 廣泛的材料體系

半導(dǎo)體PECVD設(shè)備氣相沉積系統(tǒng)技術(shù)參數(shù)：