目錄:鄭州成越科學儀器有限公司>>CVD氣相沉積系統(tǒng)>> CY-CVD1200-60-220-3TH-Q1200℃三通道CVD氣相沉積系統(tǒng)
化學氣相沉積（Chemical Vapor Deposition, CVD） 是一種用于制備高性能固體材料薄膜的技術。其核心原理是：將含有構成薄膜元素的一種或幾種氣態(tài)反應物通入反應室，在基片（如硅片）表面發(fā)生化學反應，并生成固態(tài)薄膜沉積下來。
1200℃三通道CVD氣相沉積系統(tǒng)設計緊湊，使用方便。特別是豐富的圖文界面，即使您是**操作，該系統(tǒng)也能順利引導您很快掌握該CVD系統(tǒng)的使用和操作，您根本無需專業(yè)學習，為您節(jié)省大量的科研時間，真正做到事倍功半！
產品特點：
1、豐富的圖文信息：全尺寸液晶圖文界面
2、系統(tǒng)高度集成：各個部分均由軟件協(xié)同進行數(shù)據采集、交換、處理、輸出
3、可使實驗步驟程序化、自動化
1200℃三通道CVD氣相沉積系統(tǒng)技術參數(shù)：
項目 | 明細 |
供電電壓 | AC220V，50Hz |
MAX功率 | 5KW |
加熱溫區(qū) | 220mm+440mm+220mm |
工作溫度 | 1100℃ （1200℃＜1h） |
控溫精度 | ±1℃ |
升溫速率 | 建議≤10℃/min |
控溫方式 | AI-PID 30段工藝曲線，可存儲多條 三溫區(qū)獨立控制，帶有過熱和斷偶保護 |
爐管材質 | 高純石英 |
爐管尺寸 | φ60mm O.D×1300mm L |
氣體通道 | 三通道質量流量計 |
氣體量程 | A：100sccm B：300sccm C：500sccm |
系統(tǒng)真空 | 5~10Pa（如需更高真空度可以選配其他的泵） |
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